onsemi NTP6411ANG
$ 5.2
Obsolete
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-10-20
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2014-10-05
LTD Date2015-04-05
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTP75NF75FP
N channel 75 V, 0.0095 Ohm typ., 80 A STripFET II Power MOSFET in TO-220FP package
InfineonIRF100B202
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi NTP6411ANG, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Power MOSFET 100V 77A 14 mOhm Single N-Channel TO-220
NTP6411ANG N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 77 A, 100 V, 3-PIN TO-220
Trans MOSFET N-CH 100V 77A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
100 V, 72 A, 14 MILLI OHM, N-CHANNEL POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 72A I(D), 100V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET Transistor; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:72A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.0127ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:188W ;RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight4.535924 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)72 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance14 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time157 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.7 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation217 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Elements1
Power Dissipation217 W
Rds On Max14 mΩ
Resistance14 MΩ
Rise Time144 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time107 ns
Turn-On Delay Time16 ns
Dimensions
Height15.75 mm
Length10.28 mm
Width4.82 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen