Infineon IRF100B202
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRF100B202, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
Infineon SCT
TUBE / MOSFET, 100V, 97A, 8.6 mOhm, 77nC, TO-220
Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
IRF100B202 Single N-Channel 100 V 8.6 mOhm HEXFET Power MOSFET - TO-220-3
MOSFET, N-CH, 100V, 97A, TO-220AB; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 97A; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 0.0072ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; P
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)97 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance8.6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.476 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation221 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance8.6 mΩ
Package Quantity1000
Power Dissipation221 W
Rds On Max8.6 mΩ
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time55 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Dimensions
Height20.57 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen