onsemi NTD4959NHT4G
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Obsolete
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Alternative Teile
Dieser Teil
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Price @ 1000
$ 0.186
$ 0.23
$ 0.23
Stock
367,156
980,971
980,971
Authorized Distributors
2
2
2
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
TO-252-3
DPAK
DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
25 V
25 V
Continuous Drain Current (ID)
9 A
12 A
12 A
Threshold Voltage
-
-
-
Rds On Max
9 mΩ
5.7 mΩ
5.7 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
2 W
2.1 W
2.1 W
Input Capacitance
2.155 nF
1.96 nF
1.96 nF
Lieferkette
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-05-18
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2012-03-31
LTD Date2012-09-30
Verwandte Teile
InfineonIRLR8729TRPBF
MOSFET N-CH 30V 58A DPAK N-Channel 30 V 58A (Tc) 55W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
InfineonIRLR8729TRLPBF
MOSFET N-CH 30V 58A D-PAK N-Channel 30 V 58A (Tc) 55W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
onsemiNTD4979NT4G
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 9.4A Ta 41A Tc 41A 2.56W 30V
Diodes Inc.DMN3010LK3-13
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 43 A, 0.008 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
InfineonIPD090N03LGBTMA1
MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3 N-Channel 30 V 40A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi NTD4959NHT4G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 9A Ta 58A Tc 58A 2W 30V
Trans MOSFET N-CH 30V 11.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
9 A 30 V 0.0125 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 30V, 0.0125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
1.3W(Ta)，52W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 44nC@ 11.5 V 1individualNChannel 30V 9mΩ@ 30A,10V 58A 2.155nF@12V TO-252-3 SMD mount 2.38mm(height)
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-252-3
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)9 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance12.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.155 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation11.5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation2 W
Rds On Max9 mΩ
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen