Diodes Inc. DMN3010LK3-13
$ 0.339
Production
Preis und Lagerbestand
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TME | DMN3010LK3-13 | 0 | 1 | 11h | ||||||||
| Newark | DMN3010LK3-13 | 0 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Avnet | DMN3010LK3-13 | 0 | 2500 | 1d | ||||||||
| Farnell | DMN3010LK3-13 | 0 | 1 | Cut Tape | 11h | |||||||
| element14 APAC | DMN3010LK3-13 | 0 | 1 | Cut Tape | 1h |
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30V, N-Ch, 7.3 mΩ max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS™, PG-TO252-3, RoHS
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onsemiNTD50N03RT4
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 7.8A Ta 45A Tc 45A 50W 4ns
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. DMN3010LK3-13, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Mosfet, N-Ch, 30V, 43A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN3010LK3-13
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 43 A, 0.008 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Trans MOSFET N-CH 30V 13.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
N-Channel 30V 13.1A (Ta), 43A (Tc) 1.6W (Ta) Surface Mount TO-252-3
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 30V VDS, 20±V VGS
Diodes Inc SCT
MOSFET 30V N-Ch Enh Mode 20Vgss 1.6W 2075pF
DiodesZetex NMOS, Vds=30 V, 43 A, DPAK (TO-252), , 3
Power Field-Effect Transistor, 13.1A I(D), 30V, 0.0095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Weight3.949996 g
Technical
Capacitance2.075 nF
Continuous Drain Current (ID)13.1 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance9.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time10.7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.075 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.6 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Rds On Max9.5 mΩ
Rise Time19.6 ns
Turn-Off Delay Time31 ns
Turn-On Delay Time4.5 ns
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