onsemi NTD4857NT4G
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Obsolete
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Stock
590,592
322,434
322,434
Authorized Distributors
2
2
2
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
DPAK
TO-252-3
TO-252-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
25 V
30 V
30 V
Continuous Drain Current (ID)
12 A
9 A
9 A
Threshold Voltage
-
-
-
Rds On Max
5.7 mΩ
9 mΩ
9 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
2.1 W
2 W
2 W
Input Capacitance
1.96 nF
2.155 nF
2.155 nF
Lieferkette
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-12-17
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2012-03-31
LTD Date2012-09-30
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
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STMicroelectronicsSTD17NF03LT4
N-channel 30 V, 0.038 Ohm, 17 A STripFET(TM) II Power MOSFET in DPAK package
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi NTD4857NT4G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Power MOSFET 25V 78A 5.7 mOhm Single N Channel DPAK
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 12A Ta 78A Tc 14.6A 2.1W 3.6ns
Trans MOSFET N-CH 25V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 25V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)12 A
Drain to Source Breakdown Voltage25 V
Drain to Source Resistance8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time3.6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.96 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation56.6 W
Min Breakdown Voltage25 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation2.1 W
Rds On Max5.7 mΩ
Rise Time18.7 ns
Turn-Off Delay Time26 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen