Infineon IPD090N03LGBTMA1
Obsolete
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Alternative Teile
Dieser Teil
Alternative Teile
Price @ 1000
$ 0.368
Stock
145,353
1,538,970
Authorized Distributors
0
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
TO-252-3
TO-252
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
30 V
Continuous Drain Current (ID)
40 A
40 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
9 mΩ
9 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
42 W
42 W
Input Capacitance
1.6 nF
1.2 nF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-01-20
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2020-03-11
LTD Date2020-03-11
Verwandte Teile
InfineonIPD50N03S2L06ATMA1
30V, N-Ch, 6.4 mΩ max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS™, PG-TO252-3, RoHS
InfineonIPD50N03S207ATMA1
30V, N-Ch, 7.3 mΩ max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS™, PG-TO252-3, RoHS
Diodes Inc.DMN3010LK3-13
Mosfet, N-Ch, 30V, 43A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN3010LK3-13
onsemiNTD70N03RG
Tube Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 10A Ta 32A Tc 32A 1.87W 1.3ns
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPD090N03LGBTMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 30V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)40 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance13.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time2.6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.6 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation42 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation42 W
Rds On Max9 mΩ
Rise Time3 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time15 ns
Turn-On Delay Time4 ns
Dimensions
Height2.56 mm
Datenblätter und Dokumente
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