onsemi MUN5312DW1T1G

Name: onsemi MUN5312DW1T1G
Brand: onsemi
SKU: MUN5312DW1T1G

MUN Series 50 V 100 mA 22 kOhm NPN/PNP Dual Bias Resistor Transistor - SOT-363

$ 0.057

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	MUN5312DW1T1G	5.440	3K						0,026	1d
Verical	2	MUN5312DW1T1G	501.000	11905
Arrow Electronics		MUN5312DW1T1G	12.000	3K						0,041
Rochester Electronics		MUN5312DW1T1G	501.000					0,034	0,028	0,025	9h
DigiKey	3	MUN5312DW1T1GOSCT-ND	29.456	1	Cut Tape	0,240	0,147	0,091	0,059	0,059

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IHS

Datasheet13 SeitenVor 8 Jahren

Upverter

onsemi

Farnell

RS (Formerly Allied Electronics)

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onsemiMUN5312DW1T1G

onsemiMUN5312DW1T2G

Price @ 1000

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$ 0.06

Stock

8,820,798

1,190,903

Authorized Distributors

Mount

Case/Package

SOT-363-6

Polarity

NPN

NPN, PNP

Collector Emitter Breakdown Voltage

50 V

Max Collector Current

100 mA

Transition Frequency

Collector Emitter Saturation Voltage

250 mV

hFE Min

Power Dissipation

187 mW

Lieferkette

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1997-01-01

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi MUN5312DW1T1G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MUN Series 50 V 100 mA 22 kOhm NPN/PNP Dual Bias Resistor Transistor - SOT-363

Future Electronics

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon

IHS

MUN5312DW1T1G NPN+PNP DIGI TRANSISTOR,100MA 50V 22 KOHM, RATIO OF 1,6-PIN SC-88

RS (Formerly Allied Electronics)

60@5mA,10V 1 NPN - Pre-Biased,1 PNP - Pre-Biased 187mW 100mA 50V 500nA SOT-323-6 Digital Transistors ROHS

Dasenic

Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R

Verical

Complementary Bipolar Digital Transistor (BRT)

onsemi

BRT TRANSISTOR, AEC-Q101, 50V, 22K/22K; Digital Transistor Polarity: NPN and PNP Complement; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50V; Continuous Collector Current Ic: 100mA; Base Input Resistor R1: 22kohm; Base-Emitter Resis

Farnell

Brt Transistor, 50V, 22K/22Kohm, Sot-363, Full Reel; Transistor Polarity:Npn And Pnp Complement; Collector Emitter Voltage Max Npn:50V; Collector Emitter Voltage Max Pnp:50V; Continuous Collector Current:100Ma; No. Of Pins:6 Pin Rohs Compliant: Yes |Onsemi MUN5312DW1T1G.

Newark

The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base-emitter resistor. These digital transistors are designed to replace a single device and its external resistor bias network. The BRT eliminates these individual components by integrating them into a single device. In the MUN5311DW1T1 series two complementary BRT devices are housed in the SOT-363 package which is ideal for low power surface mount applications where board space is at a premium.

North Star Micro

Bilder

Augswan

element14

element14 APAC

TME

Future Electronics

RS (Formerly Allied Electronics)

LZChips

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

MUN5312DW1T1G.

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageSOT-363-6

Contact PlatingTin

Number of Pins6

Number of Terminals6

Technical

Collector Emitter Breakdown Voltage50 V

Collector Emitter Saturation Voltage250 mV

Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V

Continuous Collector Current100 mA

Current Rating100 mA

Element ConfigurationDual

hFE Min60

Max Breakdown Voltage50 V

Max Collector Current100 mA

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation150 mW

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Channels2

Number of Elements2

PackagingTape and Reel

PolarityNPN

Schedule B8541210080

Voltage Rating (DC)50 V

Dimensions

Height900 µm

Length2 mm

Width1.25 mm

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