onsemi MUN5330DW1T1G

Name: onsemi MUN5330DW1T1G
Brand: onsemi
SKU: MUN5330DW1T1G

on Semi MUN5330DW1T1G Dual Npn+pnp Bipolar Transistor, 0.1 A, 50V, 6-PIN SOT-363

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Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet		MUN5330DW1T1G	51.000	3K					0,030	1d
Newark	3	MUN5330DW1T1G	3.636	5	Cut Tape	0,163	0,105	0,093	0,093
Verical	3	MUN5330DW1T1G	959	247				0,050	0,037
Arrow Electronics		MUN5330DW1T1G	3.000	3K					0,044
Rochester Electronics		MUN5330DW1T1G	423.801				0,037	0,031	0,028	7h

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Newark

Datasheet7 SeitenVor 11 Jahren

IHS

onsemi

Arrow Electronics

Future Electronics

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onsemiMUN5330DW1T1G

onsemiMUN5330DW1T1

Price @ 1000

$ 0.062

$ 0.055

Stock

1,756,981

505,200

Authorized Distributors

Mount

Case/Package

SOT-363-6

Polarity

NPN, PNP

Collector Emitter Breakdown Voltage

50 V

Max Collector Current

100 mA

Transition Frequency

Collector Emitter Saturation Voltage

250 mV

hFE Min

Power Dissipation

187 mW

Lieferkette

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1999-01-01

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi MUN5330DW1T1G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

ON SEMI MUN5330DW1T1G DUAL NPN+PNP BIPOLAR TRANSISTOR,0.1 A,50V,6-PIN SOT-363

RS (Formerly Allied Electronics)

NPN AND PNP SILICON SURFACE MOUNT TRANSISTOR WITH MONOLITHIC BIAS RESISTOR NETWORK Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon

ComSIT Distribution GmbH

MUN Series 50 V 100 mA 1 kOhm NPN/PNP Dual Bias Resistor Transistor - SOT-363

Future Electronics

100 mA 50 V 2 CHANNEL NPN AND PNP Si SMALL SIGNAL TRANSISTOR

Component Stockers USA

Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R

Verical

Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA Complementary 50V NPN & PNP

Digi-ic_SMART PIONEER

Complementary Bipolar Digital Transistor (BRT)

onsemi

250mV@ 5mA,10mA 1 NPN,1 PNP - Pre-Biased (Dual) 385mW 6V 500nA 50V 50V 100mA SC-88-6 2mm*1.25mm*900¦Ìm

UnikeyIC

Transistor Polarity:Npn And Pnp Complement; Collector Emitter Voltage Max Npn:50V; Collector Emitter Voltage Max Pnp:50V; Continuous Collector Current:100Ma; Base Input Resistor R1:1Kohm; Base Emitter Resistor R2:1Kohm Rohs Compliant: Yes |Onsemi MUN5330DW1T1G.

Newark

The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base-emitter resistor. These digital transistors are designed to replace a single device and its external resistor bias network. The BRT eliminates these individual components by integrating them into a single device. In the MUN5311DW1T1 series two complementary BRT devices are housed in the SOT-363 package which is ideal for low power surface mount applications where board space is at a premium.

North Star Micro

Bilder

Newark

Farnell

Future Electronics

RS (Formerly Allied Electronics)

Rochester Electronics

LZChips

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

MUN5330DW1T1G.

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageSOT-363-6

Number of Pins6

Number of Terminals6

Technical

Collector Base Voltage (VCBO)50 V

Collector Emitter Breakdown Voltage50 V

Collector Emitter Saturation Voltage250 mV

Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V

Continuous Collector Current100 mA

Current Rating100 mA

Element ConfigurationDual

Emitter Base Voltage (VEBO)6 V

hFE Min3

Max Breakdown Voltage50 V

Max Collector Current100 mA

Max Frequency10 kHz

Max Operating Temperature150 °C

Max Output Current100 mA

Max Power Dissipation385 mW

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements2

Operating Supply Voltage50 V

PackagingTape and Reel

PolarityNPN, PNP

Power Dissipation187 mW

Schedule B8541210080

Voltage Rating (DC)50 V

Dimensions

Height1 mm

Length2.2 mm

Width1.35 mm