onsemi MUN5116DW1T1G
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Stock
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4,828,999
Authorized Distributors
6
6
Mount
-
-
Case/Package
SOT-363-6
SOT-363-6
Polarity
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
50 V
50 V
Max Collector Current
100 mA
100 mA
Transition Frequency
-
-
Collector Emitter Saturation Voltage
250 mV
250 mV
hFE Min
160
160
Power Dissipation
-
250 mW
Lieferkette
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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ON SEMI MUN5330DW1T1G DUAL NPN+PNP BIPOLAR TRANSISTOR,0.1 A,50V,6-PIN SOT-363
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi MUN5116DW1T1G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon
Bipolar Junction Transistor Arrays - Bjt; |Onsemi MUN5116DW1T1G
Dual PNP Bipolar Digital Transistor (BRT)
MUN Series 50 V 100 mA 4.7 kOhm PNP Dual Bias Resistor Transistor - SOT-363
MUN5116DW1T1G PNP DIGI TRANSISTOR,100MA 50V 4.7 KOHM, RATIO OF NONE,6-PIN SC-88
160@5mA,10V 2 PNP - Pre-Biased 250mW 100mA 50V 500nA SOT-323-6 Digital Transistors ROHS
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base-emitter resistor. These digital transistors are designed to replace a single device and its external resistor bias network. The BRT eliminates these individual components by integrating them into a single device. In the MUN5111DW1T1 series two BRT devices are housed in the SOT-363 package which is ideal for low-power surface mount applications where board space is at a premium.
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-363-6
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage250 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Continuous Collector Current-100 mA
Current Rating-100 mA
Element ConfigurationDual
hFE Min160
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Output Current100 mA
Max Power Dissipation150 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
Operating Supply Voltage50 V
PackagingTape and Reel
PolarityPNP
Schedule B8541210080
Voltage Rating (DC)-50 V
Dimensions
Height900 µm
Length2 mm
Width1.25 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen