onsemi ISL9N303AS3
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Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-06-05
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 7 months ago)
LTB Date2009-12-11
LTD Date2010-06-11
Verwandte Teile
InfineonIPI100N04S4H2AKSA1
MOSFET N-CH 40V 100A TO262-3 N-Channel 40 V 100A (Tc) 115W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
InfineonIPI80N06S3-07
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3 N-Channel 55 V 80A (Tc) 135W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
InfineonIPI110N20N3GAKSA1
MOSFET N-CH 200V 88A TO262-3 N-Channel 200 V 88A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi ISL9N303AS3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Discrete Commercial N-Channel PowerTrench MOSFET, 30V, 75A, 0.0032 Ohms @ VGS = 10V, TO-262/I2PAK Package
TO-262AA, SINGLE, 30V, 0.0032OHM N-CH LL ULTRAFET TRENCH MOS
Trans MOSFET N-CH 30V 75A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
MOSFETs 30V, 75a, 0.0032 Ohm N-Channel
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, TO-262AA, 3 PIN
215W(Tc) 3V@ 250µA 172nC@ 10V 1individualNChannel 30V 3.2mΩ@ 75A,10V 7pF@15V I2PAK，TO-262 Through hole mounting
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +0.00%
CAD-Modelle
0 models available
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)75 A
Current Rating75 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time21 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance7 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation215 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation215 W
Rds On Max3.2 mΩ
Rise Time69 ns
Turn-Off Delay Time51 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Datenblätter und Dokumente
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