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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2002-04-29
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 months ago)
Verwandte Teile
InfineonIPP100N08S207AKSA1
MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3 / N-Channel 75 V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
InfineonIPI037N08N3GXKSA1
MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3 N-Channel 80 V 100A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
InfineonIPI040N06N3GXKSA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3 N-Channel 60 V 90A (Tc) 188W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
onsemi2SK4066-1E
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 100A Ta 100A 1.65W 750ns
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FDI047AN08A0, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 75V 15A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
N-Channel PowerTrench MOSFET 75V, 80A, 4.7mΩ
MOSFETs 75V N-Ch PowerTrench MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 75V, 0.0047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AB, TO-262AB, 3 PIN
Regulated Step-Down Charge Pump DC/DC Converter
310W(Tc) 4V@ 250µA 138nC@ 10V 1individualNChannel 75V 4.7mΩ@ 80A,10V 6.6pF@25V I2PAK，TO-262 Through hole mounting
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)80 A
Current Rating80 A
Drain to Source Breakdown Voltage75 V
Drain to Source Resistance4.7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)75 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time45 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance6.6 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation310 W
Min Breakdown Voltage75 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation310 W
Rds On Max4.7 mΩ
Rise Time88 ns
Turn-Off Delay Time40 ns
Voltage Rating (DC)75 V
Datenblätter und Dokumente
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