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Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-09-21
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2011-01-31
LTD Date2011-07-31
Verwandte Teile
InfineonIPI029N06NAKSA1
N-Channel 60 V 100 A 3 W Through Hole OptiMOSTM Power Transistor - PG-TO262-3
InfineonIPI70N04S406AKSA1
MOSFET N-CH 40V 70A TO262-3 / N-Channel 40 V 70A (Tc) 58W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPI80N06S3-07, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET N-CH 55V 80A TO-262
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0068ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)80 A
Current Rating80 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance6.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time33 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance7.768 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation135 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation135 W
Rds On Max6.8 mΩ
Rise Time41 ns
Turn-Off Delay Time34 ns
Voltage Rating (DC)55 V
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen