onsemi HUF75829D3
$ 0.58
Obsolete
Preis und Lagerbestand
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Nicht autorisierte Händler
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-01-31
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
InfineonIRLU3410PBF
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 0.105Ohm; ID 17A; I-Pak (TO-251AA); PD 79W
InfineonIRFU5305PBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -55V;RDS(ON) 0.065Ohm;ID -31A;I-Pak (TO-251AA);PD 110W
onsemiHUF75321D3
20A, 55V, 0.036 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs | MOSFET N-CH 55V 20A IPAK
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi HUF75829D3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
18A, 150V, 0.110 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET | MOSFET N-CH 150V 18A IPAK
MOSFET N-CH 150V 18A IPAK
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 150V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA
MOSFETs 150V NCh PowerMOSFET UltraFET
N-CHANNEL POWER MOSFET
MISCELLANEOUS MOSFETS;
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-251-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)18 A
Current Rating18 A
Drain to Source Breakdown Voltage150 V
Drain to Source Resistance110 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time30 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.08 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation110 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation110 W
Rds On Max110 mΩ
Rise Time30 ns
Turn-Off Delay Time53 ns
Voltage Rating (DC)150 V
Datenblätter und Dokumente
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