onsemi HGTG30N60C3D

Name: onsemi HGTG30N60C3D
Brand: onsemi
SKU: HGTG30N60C3D

600V, 63A, Ufs, Series Nch Igbt W/anti-parallel Hyperfast Diode

$ 4.917

Obsolete

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Distributor		SKU		Min
Avnet		HGTG30N60C3D	780	109				5,885	5,667	4d
Verical	4	HGTG30N60C3D	77	2		4,703	4,703	4,703	4,703
Arrow Electronics		HGTG30N60C3D	77	1	4,703	4,703	4,703	4,703	4,703
Rochester Electronics		HGTG30N60C3D	5.413				5,730	5,130	4,820	10h
Flip Electronics		HGTG30N60C3D	780							7h

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element14 APAC

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Datasheet0 SeitenVor 0 Jahren

onsemi

IHS

Upverter

Future Electronics

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Alternative Teile

onsemiHGTG30N60C3D

onsemiHGTG30N60C3D_NL

Price @ 1000

$ 4.917

$ 2.73

Stock

138,467

18,889

Authorized Distributors

Mount

Through Hole

Case/Package

TO-247

Collector Emitter Breakdown Voltage

600 V

Max Collector Current

63 A

Power Dissipation

208 W

Collector Emitter Saturation Voltage

1.5 V

Reverse Recovery Time

60 ns

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date1995-08-01

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 days ago)

Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 2 days ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi HGTG30N60C3D, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

600V,63A,UFS,SERIES NCH IGBT W/ANTI-PARALLEL HYPERFAST DIODE

Master Electronics

600 V, 63 A, N-CHANNEL IGBT WITH ANTI-PARALLEL HYPERFAST DIODE Insulated Gate Bipolar Transistor, 63A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247

ComSIT Distribution GmbH

IGBT,N CH,600V,30A,TO-247; DC Collector Current:63A; Collector Emitter Voltage Vces:1.8V; Power Dissipation Max:208W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Operating Temperature Range:-40°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-247; No. of Pins:3

Farnell

IGBT; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:NPN; Continuous Collector Current, Ic:63A; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):2V; Power Dissipation, Pd:208W; Package/Case:TO-247; C-E Breakdown Voltage:600V ;RoHS Compliant: Yes

Newark

The HGTG30N60C3D is a MOS gated high voltage switching device combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. The device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower on-state voltage drop varies only moderately between 25°C and 150°C. The IGBT used is the development type TA49051. The diode used in anti-parallel with the IGBT is the development type TA49053.The IGBT is ideal for many high voltage switching applications operating at moderate frequencies where low conduction losses are essential.Formerly Developmental Type TA49014.

Fairchild Semiconductor

Bilder

RS (Formerly Allied Electronics)

Rochester Electronics

Future Electronics

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

HGTG30N60C3D..

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageTO-247

MountThrough Hole

Number of Pins3

Number of Terminals3

Weight6.39 g

Technical

Collector Emitter Breakdown Voltage600 V

Collector Emitter Saturation Voltage1.5 V

Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V

Continuous Collector Current63 A

Current Rating30 A

Element ConfigurationSingle

Fall Time275 ns

Max Collector Current63 A

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation208 W

Min Operating Temperature-40 °C

Number of Elements1

PolarityNPN

Power Dissipation208 W

Reverse Recovery Time60 ns

Rise Time45 ns

Schedule B8541290080

Turn-Off Delay Time320 ns

Turn-On Delay Time40 ns

Voltage Rating (DC)600 V

Dimensions

Height24.75 mm

Length15.87 mm

Width4.82 mm