Was ist neu: Finden Sie die richtigen Teile schneller mit unserer neu gestalteten Benutzeroberfläche

Mehr erfahren

onsemi FQI4N90TU

N-Channel Power MOSFET, QFET®, 900 V, 4.2 A, 3.3 Ω, I2PAK
$ 0.827
Obsolete
Datenblatt
Herstellerseite

Preis und Lagerbestand

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für onsemi FQI4N90TU herunter.

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
-100%

CAD-Modelle

Laden Sie onsemi FQI4N90TU Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.

QUELLEeCADmCADDATEIEN
EE Concierge
SymbolFußabdruck
Ultra Librarian
SymbolFußabdruck
Herunterladen
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.

Lieferkette

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2000-07-13
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 days ago)
LTB Date2022-06-23
LTD Date2022-12-23
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 days ago)

Verwandte Teile

onsemiFQI5N80TU
Trans MOSFET N-CH 800V 4.8A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
onsemiFQI4N80TU
N-Channel Power MOSFET, QFET®, 800 V, 3.9 A, 3.6 Ω, I2PAK
onsemiFQI3N80TU
MOSFET N-CH 800V 3A I2PAK
STMicroelectronicsSTB7NK80Z-1
N-channel 800 V, 1.5 Ohm typ., 5.2 A Zener-protected SuperMESH Power MOSFET in an I2PAK package
STMicroelectronicsSTFI6N80K5
N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in I2PAKFP package
Single N-Channel 800 V 3 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-262

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi FQI4N90TU, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

N-Channel Power MOSFET, QFET®, 900 V, 4.2 A, 3.3 Ω, I2PAK
Transistor, mosfet, n-Channel,900V V(Br)Dss,4.2A I(D),to-262Aa Rohs Compliant: Yes |Onsemi FQI4N90TU
Power Field-Effect Transistor, 4.2A I(D), 900V, 3.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
3.13W(Ta)£¬140W(Tc) 5V@ 250¦ÌA 30nC@ 10V 1individualNChannel 900V 3.3¦¸@ 2.1A,10V 1.1pF@25V I2PAK£¬TO-262 Through hole mounting
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd