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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-11-10
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2007-02-28
LTD Date2007-08-29
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTFI4N62K3
N-channel 620 V, 1.7 Ohm typ., 3.8 A, SuperMESH3(TM) Power MOSFET in I2PAKFP package
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FQI3N80TU, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET N-CH 800V 3A I2PAK
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 800V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
IC SUPERVISOR 1 CHANNEL 3SSOP
N-CHANNEL POWER MOSFET
MOSFETs 800V N-Channel QFET
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)3 A
Current Rating3 A
Drain to Source Breakdown Voltage800 V
Drain to Source Resistance5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time30 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance690 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation107 W
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation3.13 W
Rds On Max5 Ω
Rise Time40 ns
Turn-Off Delay Time30 ns
Voltage Rating (DC)800 V
Datenblätter und Dokumente
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