STMicroelectronics STB7NK80Z-1
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 week ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTFI6N80K5
N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in I2PAKFP package
STMicroelectronicsSTB6NK60Z-1
N-channel 600 V - 1 Ohm - 6 A - I2PAK Zener-Protected SuperMESH(TM) Power MOSFET
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STB7NK80Z-1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 800 V, 1.5 Ohm typ., 5.2 A Zener-protected SuperMESH Power MOSFET in an I2PAK package
N-CHANNEL800V-1.5ohm - 5.2A TO-220/TO-220FP/I2PAK/D2PAK Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET
125W(Tc) 30V 4.5V@ 100µA 56nC@ 10 V 1individualNChannel 800V 1.8Ω@ 2.6A,10V 5.2A 1.138nF@25V I2PAK Through hole mounting 10mm*4.4mm*8.95mm
Power Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 800V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Alternative Teile
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)5.2 A
Drain to Source Breakdown Voltage800 V
Drain to Source Resistance1.8 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.138 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation125 W
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation125 W
Rds On Max1.8 Ω
Rise Time12 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time45 ns
Turn-On Delay Time20 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant