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Lieferkette

Country of OriginPhilippines

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date1999-08-17

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi FDT439N, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 30V, 2.5V Specified, 6.3A, 45mΩ

onsemi

MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:30V; Continuous Drain Current, Id:6.3A; On Resistance, Rds(on):0.045ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:4.5V; Package/Case:SOT-223 ;RoHS Compliant: Yes

Newark

This N-Channel Enhancement mode field effect transistor is produced using Fairchild Semiconductor's proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance, and provide superior switching performance. These products are well suited to low voltage, low current applications such as notebook computer power management, battery powered circuits, and DC motor control.

Fairchild Semiconductor

Bilder

Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

FDT439N.

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend: +14.18%

CAD-Modelle

Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen

Alternative Teile

0 Teile verfügbar

Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageSOT-223

Contact PlatingTin

MountSurface Mount

Number of Pins4

Number of Terminals4

Weight250.2 mg

Technical

Continuous Drain Current (ID)6.3 A

Current Rating6.3 A

Drain to Source Breakdown Voltage30 V

Drain to Source Resistance45 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)30 V

Dual Supply Voltage30 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time10 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)8 V

Input Capacitance500 pF

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation3 W

Min Breakdown Voltage30 V

Min Operating Temperature-55 °C

Nominal Vgs670 mV

Number of Channels1

Number of Elements1

PackagingCut Tape

Power Dissipation1.1 W

Rds On Max45 mΩ

Resistance45 mΩ

Rise Time10 ns

Schedule B8541290080

TerminationSMD/SMT

Threshold Voltage670 mV

Turn-Off Delay Time30 ns

Turn-On Delay Time6 ns

Voltage Rating (DC)30 V

Dimensions

Height1.8 mm

Length6.5 mm

Width3.56 mm

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für onsemi FDT439N herunter.