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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-08-30
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2010-06-03
LTD Date2010-12-03
Verwandte Teile
InfineonIRF7455PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 0.06Ohm;ID 15A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-12V;gFS 4
InfineonIRF8113TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 4.7Milliohms;ID 17.2A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-2
InfineonIRF8113PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 4.7Milliohms;ID 17.2A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-2
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FDS7064N7, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET N-CH 30V 16.5A 8-SOIC
30V/12V, 7MO, NCH, SINGLE, SO8 FLMP, 300A GOX, PTII
Power Field-Effect Transistor, 16.5A I(D), 30V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:30V; Continuous Drain Current, Id:16.5A; On Resistance, Rds(on):0.007ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:4.5V; Drain-Source Breakdown Voltage:-100V RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)16.5 A
Current Rating16.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time26 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance3.355 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.47 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation3 W
Rds On Max7 mΩ
Rise Time13 ns
Turn-Off Delay Time54 ns
Turn-On Delay Time17 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height1.6 mm
Datenblätter und Dokumente
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