NXP Semiconductors MRFE6VP6300HR3

RF Power Transistor, 1.8 to 600 MHz, 300 W, Typ Gain in dB is 25 @ 130 MHz, 50 V, LDMOS, SOT1827
Obsolete
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Alle Preisnachlässe anzeigen
DistributorSKUMinPkg
RFMWMRFE6VP6300HR301
19h
FarnellMRFE6VP6300HR301Cut Tape
17h
Worldway ElectronicsMRFE6VP6300HR34.2217Tape & Reel
18h
IC Components Ltd.MRFE6VP6300HR34.299
17h
AztechMRFE6VP6300HR3675
14h

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für NXP Semiconductors MRFE6VP6300HR3 herunter.

NXP Semiconductors

Datasheet15 SeitenVor 14 Jahren

IHS

Freescale Semiconductor

CAD-Modelle

Laden Sie NXP Semiconductors MRFE6VP6300HR3 Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.

QUELLEeCADmCADDATEIEN
Ultra Librarian
SymbolFußabdruck
Herunterladen
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.

Alternative Teile

Dieser Teil
Alternative Teile
NXP SemiconductorsMRFE6VP6300HR3
NXP SemiconductorsMRFE6VP6300HR5
Price @ 1000
$ 174.81
Stock
103,881
109,339
Authorized Distributors
2
6
Mount
Screw, Surface Mount
Screw, Surface Mount
Case/Package
-
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
130 V
130 V
Continuous Drain Current (ID)
-
100 mA
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
-
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
10 V
10 V
Power Dissipation
1.05 kW
1.05 kW
Input Capacitance
-
-

Lieferkette

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 weeks ago)

Verwandte Teile

NXP SemiconductorsMRFE6VP5600HR5
RF Power Transistor,1.8 to 600 MHz, 600 W, Typ Gain in dB is 24.6 @ 230 MHz, 50 V, LDMOS, SOT1787
Details
NXP SemiconductorsMRFE6VP5600HR6
RF Power Transistor,1.8 to 600 MHz, 600 W, Typ Gain in dB is 24.6 @ 230 MHz, 50 V, LDMOS, SOT1787
Details
NXP SemiconductorsMRFE6VP5600HSR5
Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V
Details
VishayIRLL110TRPBF
IRLL110TRPBF N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 1.5 A, 100 V, 3 + TAB-PIN SOT-223
Details
VishayIRLR110PBF
Mosfet; Power; N-ch; Vdss 100V; Rds(on) 0.54 Ohm; Id 4.3A; TO-252AA; Pd 25W; Vgs +/-10V
Details
VishayIRLR110TRPBF
Single N-Channel 100 V 0.54 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-252
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von NXP Semiconductors MRFE6VP6300HR3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

RF Power Transistor,1.8 to 600 MHz, 300 W, Typ Gain in dB is 25 @ 130 MHz, 50 V, LDMOS, SOT1827
RFMW
Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 300 W, 50 V
Freescale Semiconductor
RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Semicontronic
RF FET, 1.8MHZ-600MHZ, NI-780S; Drain Source Voltage Vds: 130V; Continuous Drain Current Id: -; Power Dissipation Pd: 1.05kW; Operating Frequency Min: 1.8MHz; Operating Frequency Max: 600MHz; RF Transistor Case: NI-780S; No. o
Farnell

Bilder

RFMW
Lanka Micro
UTSource

Aliasnamen des Herstellers

NXP Semiconductors verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. NXP Semiconductors ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • NXP
  • PHILIPS
  • PHIL
  • NXP USA Inc
  • PHI
  • PHILLIPS
  • NXP SEMI
  • NXP SEMICONDUCTOR
  • PHILIPS/NXP
  • PHILIPS SEMICONDUCTORS
  • PHILIP
  • NXP/PHILIPS
  • PHILIPS SEMICONDUCTOR
  • PHILPS
  • PHILIPS COMPONENTS
  • PHILIPS SEMI
  • PHL
  • PHLIPS
  • NXP Semicon
  • NXP / Freescale
  • PHILL
  • PHILIPS ECG
  • Philips Semiconducto
  • PHILLIP
  • PHILI
  • Philips Semiconductors
  • NXP Semiconductors NV
  • NXP