NXP Semiconductors MRFE6VP5600HSR5
$ 206.071
EOL
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +0.00%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für NXP Semiconductors MRFE6VP5600HSR5 herunter.
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.75
Introduction Date2010-12-14
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 month ago)
Verwandte Teile
NXP SemiconductorsMRFE6VP6300HR5
RF Power Transistor,1.8 to 600 MHz, 300 W, Typ Gain in dB is 25 @ 130 MHz, 50 V, LDMOS, SOT1827
NXP SemiconductorsMRFE6VP6300HR3
RF Power Transistor,1.8 to 600 MHz, 300 W, Typ Gain in dB is 25 @ 130 MHz, 50 V, LDMOS, SOT1827
NXP SemiconductorsMRFE6VP6300HSR3
Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 300 W, 50 V
VishayIRLL110TRPBF
IRLL110TRPBF N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 1.5 A, 100 V, 3 + TAB-PIN SOT-223
VishayIRLR110PBF
Mosfet; Power; N-ch; Vdss 100V; Rds(on) 0.54 Ohm; Id 4.3A; TO-252AA; Pd 25W; Vgs +/-10V
Beschreibungen
Beschreibungen von NXP Semiconductors MRFE6VP5600HSR5, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V
RF Power Transistor,1.8 to 600 MHz, 600 W, Typ Gain in dB is 24.6 @ 230 MHz, 50 V, LDMOS, SOT1829
Transistor RF FET N-CH 130V 1.8MHz to 600MHz 4-Pin NI-1230S T/R
Trans RF MOSFET N-CH 130V 5-Pin Case 375E-04 T/R
RF MOSFET Transistors VHV6 600W 50V NI1230HS
RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
FET RF 2CH 130V 230MHZ NI1230S
Aliasnamen des Herstellers
NXP Semiconductors verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. NXP Semiconductors ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- NXP
- PHILIPS
- PHIL
- NXP USA Inc
- PHI
- PHILLIPS
- NXP SEMI
- NXP SEMICONDUCTOR
- PHILIPS/NXP
- PHILIPS SEMICONDUCTORS
- PHILIP
- NXP/PHILIPS
- PHILIPS SEMICONDUCTOR
- PHILPS
- PHILIPS COMPONENTS
- PHILIPS SEMI
- PHL
- PHLIPS
- NXP Semicon
- NXP / Freescale
- PHILL
- PHILIPS ECG
- Philips Semiconducto
- PHILLIP
- PHILI
- Philips Semiconductors
- NXP Semiconductors NV
- NXP
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +0.00%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Body MaterialCeramic
MountSurface Mount
Number of Pins5
Number of Terminals4
Weight8.488386 g
Technical
Drain to Source Voltage (Vdss)130 V
Frequency230 MHz
Gain25 dB
Gate to Source Voltage (Vgs)10 V
Max Operating Temperature225 °C
Max Power Dissipation1.67 kW
Min Breakdown Voltage130 V
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements2
Output Power600 W
Test Current100 mA
Test Voltage50 V
Voltage Rating130 V
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für NXP Semiconductors MRFE6VP5600HSR5 herunter.
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen