NXP Semiconductors MMRF1008HR5
$ 481.395
Obsolete
Preis und Lagerbestand
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Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | MMRF1008HR5 | 50 | 12h | |||||||||
| UnikeyIC | MMRF1008HR5 | 47 | 1 | Tape & Reel | 12h | |||||||
| Flip Electronics | MMRF1008HR5 | 150 | 1d | |||||||||
| Newark | MMRF1008HR5 | 0 | 50 | |||||||||
| RFMW | MMRF1008HR5 | 0 | 1 | 13h |
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Price @ 1000
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Stock
68,867
65,965
Authorized Distributors
6
6
Mount
Screw
Screw, Surface Mount
Case/Package
-
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
-
110 V
Continuous Drain Current (ID)
-
-
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
-
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
10 V
10 V
Power Dissipation
-
-
Input Capacitance
-
-
Lieferkette
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00
Introduction Date2013-12-20
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 months ago)
LTB Date2023-06-30
LTD Date2023-12-31
Verwandte Teile
NXP SemiconductorsMRFE6VP100HR5
RF Power Transistor,1.8 to 2000 MHz, 100 W, Typ Gain in dB is 27.2 @ 512 MHz, 50 V, LDMOS, SOT1827
NXP SemiconductorsMRFE6VP61K25HR5
Wideband Rf Power Ldmos Transistor, 1.8-600 Mhz, 1250 W Cw, 50 V Rohs Compliant: Yes
NXP SemiconductorsMRFE6VP6300HR5
RF Power Transistor,1.8 to 600 MHz, 300 W, Typ Gain in dB is 25 @ 130 MHz, 50 V, LDMOS, SOT1827
Beschreibungen
Beschreibungen von NXP Semiconductors MMRF1008HR5, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Pulse Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 960-1215 MHz, 275 W, 50 V
RF Power Transistor,960 to 1215 MHz, 275 W, Typ Gain in dB is 20.3 @ 1030 MHz, 50 V, LDMOS, SOT1792
Transistor RF FET N-CH 100V 900MHz to 1215MHz 2-Pin NI-780H T/R
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Trans MOSFET N-CH 110V 2-Pin NI-780H T/R
10V 2.4V 100V 695pF@ 50V NI-780H-2L 4.32mm
Aliasnamen des Herstellers
NXP Semiconductors verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. NXP Semiconductors ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- NXP
- PHILIPS
- PHIL
- NXP USA Inc
- PHI
- PHILLIPS
- NXP SEMI
- NXP SEMICONDUCTOR
- PHILIPS/NXP
- PHILIPS SEMICONDUCTORS
- PHILIP
- NXP/PHILIPS
- PHILIPS SEMICONDUCTOR
- PHILPS
- PHILIPS COMPONENTS
- PHILIPS SEMI
- PHL
- PHLIPS
- NXP Semicon
- NXP / Freescale
- PHILL
- PHILIPS ECG
- Philips Semiconducto
- PHILLIP
- PHILI
- Philips Semiconductors
- NXP Semiconductors NV
- NXP
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Technische Spezifikationen
Physical
Body MaterialCeramic
MountScrew
Number of Pins2
Number of Terminals2
Technical
Frequency1.03 GHz
Gain20.3 dB
Gate to Source Voltage (Vgs)10 V
Max Operating Temperature225 °C
Min Breakdown Voltage110 V
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
Output Power275 W
PackagingTape & Reel (TR)
Test Current100 mA
Test Voltage50 V
Voltage Rating100 V
Compliance
Umweltklassifizierung
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen