NXP Semiconductors MRFE6VP100HR5
$ 170.37
EOL
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | MRFE6VP100HR5 | 0 | 50 | Cut Tape | ||||||||
| RFMW | MRFE6VP100HR5 | 0 | 1 | 22h | ||||||||
| Future Electronics | MRFE6VP100HR5 | 0 | 50 | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | MRFE6VP100HR5 | 0 | 50 | 3d | ||||||||
| Arrow Electronics | MRFE6VP100HR5 | 0 | 50 |
Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00
Introduction Date2012-05-22
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 3 weeks ago)
LTB Date2026-09-30
LTD Date2027-09-30
Verwandte Teile
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RF Power Transistor,470 to 1215 MHz, 90 W, Typ Gain in dB is 22 @ 860 MHz, 50 V, LDMOS, SOT1735
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RF Power Transistor,470 to 1215 MHz, 90 W, Typ Gain in dB is 22 @ 860 MHz, 50 V, LDMOS, SOT1735
NXP SemiconductorsMRF6V2010NBR1
Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 10-450 MHz, 10 W, 50 V, FM2F
STMicroelectronicsSD2931-10W
N-Channel 125 V 389 W HF/VHF/UHF MOS Field-Effect RF Power Transistor-M174
STMicroelectronicsSTAC2942BW
STAC2942 Series 130 V 40 A 350 W 21 dB N-channel RF SMT Power Transistor
Beschreibungen
Beschreibungen von NXP Semiconductors MRFE6VP100HR5, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
RF Power Transistor,1.8 to 2000 MHz, 100 W, Typ Gain in dB is 27.2 @ 512 MHz, 50 V, LDMOS, SOT1827
RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, L Band, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
MRFE6VP100H Series 50 V 512 MHz Broadband RF Power LDMOS Transistor - NI-780-4
Transistor RF FET N-CH 133V 1.8MHz to 2000MHz 4-Pin NI-780 T/R
Avnet Japan
Trans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin Case 465M-01 T/R
RF FET Transistor, 133 VDC, 1.8 MHz, 2000 MHz, NI-780
DIODE GEN PURP 600V 30A TO220AC
RF MOSFET Transistors VHV6 100W 50V ISM
TRANSISTOR, RF, 133V, NI-780H-4L; Drain Source Voltage Vds: 133VDC; Continuous Drain Current Id: -; Power Dissipation Pd: -; Operating Frequency Min: 1.8MHz; Operating Frequency Max: 2000MHz; RF Transistor Case: NI-780; No. of Pins: 4Pins; Operating Temperature Max: 225°C; Product Range: -; MSL: -; SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
Aliasnamen des Herstellers
NXP Semiconductors verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. NXP Semiconductors ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- NXP
- PHILIPS
- PHIL
- NXP USA Inc
- PHI
- PHILLIPS
- NXP SEMI
- NXP SEMICONDUCTOR
- PHILIPS/NXP
- PHILIPS SEMICONDUCTORS
- PHILIP
- NXP/PHILIPS
- PHILIPS SEMICONDUCTOR
- PHILPS
- PHILIPS COMPONENTS
- PHILIPS SEMI
- PHL
- PHLIPS
- NXP Semicon
- NXP / Freescale
- PHILL
- PHILIPS ECG
- Philips Semiconducto
- PHILLIP
- PHILI
- Philips Semiconductors
- NXP Semiconductors NV
- NXP
Technische Spezifikationen
Physical
Body MaterialCeramic
MountScrew
Number of Pins4
Number of Terminals4
Weight6.395794 g
Technical
Drain to Source Voltage (Vdss)141 V
Frequency512 MHz
Gain25 dB
Gate to Source Voltage (Vgs)10 V
Max Frequency2 GHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation100 W
Min Breakdown Voltage133 V
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Elements2
Output Power100 W
Schedule B8541290080
Test Current100 mA
Test Voltage50 V
Voltage Rating133 V
Datenblätter und Dokumente
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