NXP Semiconductors MRFE6VP61K25HR5

Wideband Rf Power Ldmos Transistor, 1.8-600 Mhz, 1250 W Cw, 50 V Rohs Compliant: Yes
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IHS

Datasheet23 SeitenVor 12 Jahren

NXP Semiconductors SCT

Freescale Semiconductor

element14 APAC

Future Electronics

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
-9.98%

Lieferkette

Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00
Introduction Date2013-03-25
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2026-09-30
LTD Date2027-09-30

Verwandte Teile

NXP SemiconductorsMRFE6VS25NR1
RF Power Transistor,1.8 to 2000 MHz, 25 W, Typ Gain in dB is 25.5 @ 512 MHz, 50 V, LDMOS, SOT1732
IRLL110TRPBF N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 1.5 A, 100 V, 3 + TAB-PIN SOT-223
NXP SemiconductorsMRFE6VP100HR5
RF Power Transistor,1.8 to 2000 MHz, 100 W, Typ Gain in dB is 27.2 @ 512 MHz, 50 V, LDMOS, SOT1827
Mosfet; Power; N-ch; Vdss 100V; Rds(on) 0.54 Ohm; Id 4.3A; TO-252AA; Pd 25W; Vgs +/-10V
NXP SemiconductorsMRFE6VP6300HR5
RF Power Transistor,1.8 to 600 MHz, 300 W, Typ Gain in dB is 25 @ 130 MHz, 50 V, LDMOS, SOT1827
Single N-Channel 100 V 0.54 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-252

Beschreibungen

Beschreibungen von NXP Semiconductors MRFE6VP61K25HR5, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Wideband Rf Power Ldmos Transistor, 1.8-600 Mhz, 1250 W Cw, 50 V Rohs Compliant: Yes
MRFE6VP6x Series 133 V RF 230 MHz Dual Channel Power LDMOS Transistor - NI-1230
RF Power Transistor,1.8 to 600 MHz, 1250 W, Typ Gain in dB is 22.9 @ 230 MHz, 50 V, LDMOS, SOT1787
Tape & Reel (TR) N-CHANNEL EAR99 MRFE6VP61K25 RF Mosfet 100mA 1250W 24dB 230MHz
Transistor RF FET N-CH 133V 1.8MHz to 600MHz 4-Pin NI-1230H-4S T/R
Avnet Japan
Trans RF MOSFET N-CH 125V 5-Pin Case 375D-05 T/R
RF POWER FET, N CH, 125V 1250W, NI-1230
RF MOSFET Transistors VHV6 1.25KW ISM NI1230H
10V 1N 133V 562pF@ 50V NI-1230 5.08mm
RF Power Field-Effect Transistor
FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230
RF FET, 133V, 600MHZ, NI-1230H-4S; Drain Source Voltage Vds: 133VDC; Continuous Drain Current Id: -; Power Dissipation Pd: 1.333kW; Operating Frequency Min: 1.8MHz; Operating Frequency Max: 600MHz; RF Transistor Case: NI-1230;

Aliasnamen des Herstellers

NXP Semiconductors verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. NXP Semiconductors ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • NXP
  • PHILIPS
  • PHIL
  • NXP USA Inc
  • PHI
  • PHILLIPS
  • NXP SEMI
  • NXP SEMICONDUCTOR
  • PHILIPS/NXP
  • PHILIPS SEMICONDUCTORS
  • PHILIP
  • NXP/PHILIPS
  • PHILIPS SEMICONDUCTOR
  • PHILPS
  • PHILIPS COMPONENTS
  • PHILIPS SEMI
  • PHL
  • PHLIPS
  • NXP Semicon
  • NXP / Freescale
  • PHILL
  • PHILIPS ECG
  • Philips Semiconducto
  • PHILLIP
  • PHILI
  • Philips Semiconductors
  • NXP Semiconductors NV
  • NXP

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • MRFE6VP61K25HR5.