Nexperia BSS138PS
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Price @ 1000
$ 0.082
Stock
1,637,818
5,167,883
Authorized Distributors
0
6
Mount
Surface Mount
-
Case/Package
SOT-363
SOT
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
60 V
Continuous Drain Current (ID)
320 mA
320 mA
Threshold Voltage
1.2 V
1.2 V
Rds On Max
-
1.6 Ω
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
420 mW
280 mW
Input Capacitance
38 pF
50 pF
Lieferkette
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-11-11
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
Diodes Inc.DMN53D0LDW-7
TRANSISTOR, DUAL N-CHANNEL, ENHANCEMENT MODE, 50V, 0.36A, MOSFET, SOT-363
Diodes Inc.DMN61D9UDW-7
N-Channel (Dual) 60 V 350 mA 2 Ohm SMT Enhancement Mode Mosfet SOT-363
InfineonBSD214SNH6327XTSA1
Mosfet, N-Ch, 20V, 1.5A, Sot-363 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies BSD214SNH6327XTSA1
Beschreibungen
Beschreibungen von Nexperia BSS138PS, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
420mW 20V 1.5V 0.72nC@ 4.5V 1N 60V 1.6¦¸@ 10V 300mA 38pF@ 10V SOT-363 2.2mm*1.35mm*1mm
320 mA 60 V 2 CHANNEL N-CHANNEL Si SMALL SIGNAL MOSFET
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.32A I(D), 60V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFETs; BSS138PS; NEXPERIA; 60 V; 320 mA; 20 V; 280 mW
MOSFET, NN CH, 60V, 0.32A, SOT363; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id, N Channel:320mA; Drain Source Voltage Vds, N Channel:60V; On Resistance Rds(on), N Channel:0.9ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.2V; Power Dissipation Pd:420mW; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-363; No. of Pins:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Continuous Drain Current Id:320mA; Drain Source Voltage Vds:60V; Module Configuration:Dual N Channel; On Resistance Rds(on):0.9ohm; Power Dissipation Pd:420mW
Aliasnamen des Herstellers
Nexperia verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Nexperia ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Nexperia USA Inc
- NEXPER
- Nexperia BV
- NXP/NEXPERIA
- Nexperia USA
- NEXP
- Nexperi
- NEXPERIA / NXP
- Nexperia Inc
- Nexperia/NXP Semiconductors
- NEXPERIA(Nexperia)
- NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
- Nexperia(Ahn Se)
- Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
- NEXPERIA/N
- NEXPERIA/PHILIPS
- NEXPERIA USA INC (UA)
- NEX-NXP
- NEXPERIA USA INC (VA)
- NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-363
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Ambient Temperature Range High150 °C
Continuous Drain Current (ID)320 mA
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance1.6 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance38 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation420 mW
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.2 V
Number of Channels2
Number of Elements2
PackagingCut Tape
Power Dissipation420 mW
Threshold Voltage1.2 V
Turn-Off Delay Time9 ns
Turn-On Delay Time2 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Length2.2 mm
Width1.35 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen