Diodes Inc. DMN53D0LDW-13
$ 0.078
Production
Preis und Lagerbestand
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Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | DMN53D0LDW-13 | 5.340 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| DigiKey | DMN53D0LDW-13DICT-ND | 31 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DMN53D0LDW-13 | 0 | 10K | 11h | ||||||||
| Future Electronics | DMN53D0LDW-13 | 0 | 10K | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | DMN53D0LDW-13 | 0 | 10K | 13h |
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-07-02
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
Diodes Inc.DMN601DWK-7
DMN601DWK Series Dual N-Channel 60 V 2 Ohm MosFet Surface Mount - SOT-363-6
Diodes Inc.BSS138DW-7-F
Dual N-Channel 50 V 3.5 Ohm Surface Mount Enhancement MosFet - SOT-363
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. DMN53D0LDW-13, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 50V 360mA 6-Pin SOT-363 T/R
Mosfet, Dual, N-Ch, 50V, 0.36A Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN53D0LDW-13
50V 360 mA 310 mW 2 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor - SOT-363
310mW 20V 1.5V@ 250¦ÌA 0.6nC@ 4.5V 2N 50V 1.6¦¸@ 500mA,10V 360mA 46pF@25V SOT-363
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.36A I(D), 50V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, DUAL, N-CH, 50V, 0.36A;
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 20±V VGS
Diodes Inc SCT
场效应管, MOSFET, 双路, N沟道, 50V, 0.36A;
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-363
MountSurface Mount
Number of Terminals6
Weight6.010099 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)360 mA
Drain to Source Breakdown Voltage50 V
Drain to Source Resistance1.6 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)50 V
Element ConfigurationDual
Fall Time11 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance46 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation310 mW
Min Breakdown Voltage50 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
PackagingTape & Reel (TR)
Rds On Max1.6 Ω
Rise Time2.5 ns
Schedule B8541210080
Turn-Off Delay Time19 ns
Turn-On Delay Time2.7 ns
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