Diodes Inc. DMN53D0LDW-7
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-07-02
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. DMN53D0LDW-7, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
TRANSISTOR, DUAL N-CHANNEL, ENHANCEMENT MODE, 50V, 0.36A, MOSFET, SOT-363
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 50V 360mA 3-Pin SOT-363 T/R
Avnet Japan
Dual N-Channel 50 V 310 mW 0.6 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-363
Product Range:-; Qualification:-; MSL:-; Continuous Drain Current Id:360mA; Drain Source Voltage Vds:50V RoHS Compliant: No
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Bestandsverlauf
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-363
MountSurface Mount
Number of Terminals6
Weight6.010099 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)360 mA
Drain to Source Breakdown Voltage50 V
Drain to Source Resistance1.6 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)50 V
Element ConfigurationDual
Fall Time11 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance46 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation310 mW
Min Breakdown Voltage50 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
PackagingCut Tape (CT)
Rds On Max1.6 Ω
Rise Time2.5 ns
Schedule B8541210080
Turn-Off Delay Time19 ns
Turn-On Delay Time2.7 ns
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