Infineon SPW24N60C3FKSA1
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-04-27
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2026-03-31
LTD Date2026-09-30
Verwandte Teile
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MOSFET, N CH, 600V, 29A, TO-247AC-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous D
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EF-Series N-Channel 600 V 250 W 123 mO 120 nC Flange Mount Power Mosfet - TO-247
InfineonSPW20N60S5FKSA1
Single N-Channel 600 V 190 mOhm 79 nC CoolMOS Power Mosfet - TO-247-3, PG-TO247-3, RoHS
InfineonIPW60R190C6FKSA1
151W 20V 3.5V 63nC@ 10V 1N 600V 190m¦¸@ 10V 20.2A 1.4nF@ 100V 15.9mm*5.03mm*20.9mm
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon SPW24N60C3FKSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 650V 24.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube / MOSFET N-CH 650V 24.3A TO-247
Power Field-Effect Transistor, 24.3A I(D), 600V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
MOSFET, N, 600V, TO-247; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:650V; Current, Id Cont:24.3A; Resistance, Rds On:0.16ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:3V; Case Style:TO-247; ;RoHS Compliant: Yes
Replacement for 600V CoolMOS C3 is 600V CoolMOS C6/E6 >> Click & go to 600V CoolMOS C6/E6 | Summary of Features: Low specific on-state resistance; (R on*A); Very low energy storage in output capacitance (E oss) @400V; Low gate charge (Q g); Fieldproven CoolMOS quality; CoolMOS technology has been manufactured by Infineon since 1998 | Benefits: High efficiency and power density; Outstanding cost/performance; High reliability; Ease-of-use | Target Applications: Server; Telecom; Consumer; PC power; Adapter
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247-3
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)24.3 A
Current Rating24.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance160 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time14 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation240 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance160 mΩ
Package Quantity240
Power Dissipation240 W
Rds On Max160 mΩ
Rise Time21 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time140 ns
Turn-On Delay Time13 ns
Voltage Rating (DC)650 V
Dimensions
Height21.1 mm
Length16.03 mm
Width5.16 mm
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen