Infineon SPI07N60C3XKSA1
$ 1.05
Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-11-27
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTFI12N60M2
N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in I2PAKFP package
onsemiFQI6N60CTU
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 600V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
STMicroelectronicsSTFI10N62K3
N-channel 620 V, 0.68 Ohm typ., 8.4 A SuperMESH3(TM) Power MOSFET in I2PAKFP package
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon SPI07N60C3XKSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Transistor MOSFET N-Channel 600V 7.3A 3-Pin TO-262 Tube
Replacement for 600V CoolMOS™ C3 is CoolMOS™ P7, PG-TO262-3-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
SPI07N60 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER M;
COOLMOS, 7.3A, 600V, 0.6OHM, N-C
Replacement for 600V CoolMOS C3 is 600V CoolMOS C6/E6 >> Click & go to 600V CoolMOS C6/E6 | Summary of Features: Low specific on-state resistance; (R on*A); Very low energy storage in output capacitance (E oss) @400V; Low gate charge (Q g); Fieldproven CoolMOS quality; CoolMOS technology has been manufactured by Infineon since 1998 | Benefits: High efficiency and power density; Outstanding cost/performance; High reliability; Ease-of-use | Target Applications: Server; Telecom; Consumer; PC power; Adapter
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)7.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance600 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Fall Time7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance790 pF
Max Dual Supply Voltage600 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation83 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance600 mΩ
Package Quantity500
Power Dissipation83 W
Rds On Max600 mΩ
Rise Time3.5 ns
Turn-Off Delay Time60 ns
Turn-On Delay Time6 ns
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