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onsemi FQI8N60CTU

N-Channel Power MOSFET, QFET®, 600 V, 7.5 A, 1.2 Ω, I2PAK
$ 0.756
Obsolete
Datenblatt
Herstellerseite

Preis und Lagerbestand

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Vertriebspartner
SKU
Min.
Verpackung
Staffelpreise
Verical
6
FQI8N60CTU
1.000
331
USD
0,943
0,840
Avnet
FQI8N60CTU
12.000
807
USD
0,756
0,735
18h
Rochester Electronics
2
FQI8N60CTU
25.774
USD
0,908
0,754
0,672
15h
Flip Electronics
FQI8N60CTU
12.000
1d
Microchip USA
FQI8N60CTU
310
600
Bulk
USD
1,392
1,392
>1wk

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für onsemi FQI8N60CTU herunter.

IHS

Datasheet10 SeitenVor 4 Jahren
Datasheet9 SeitenVor 12 Jahren

Newark

onsemi

Fairchild Semiconductor

Mouser

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
-57.14%
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Lieferkette

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-10-30
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 23 hours ago)
LTB Date2022-06-23
LTD Date2022-12-23
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 23 hours ago)

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N-Channel Power MOSFET, QFET®, 600 V, 7.4 A, 1 Ω, I2PAK
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Details
STMicroelectronicsSTB6NK60Z-1
N-channel 600 V - 1 Ohm - 6 A - I2PAK Zener-Protected SuperMESH(TM) Power MOSFET
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi FQI8N60CTU, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

N-Channel Power MOSFET, QFET®, 600 V, 7.5 A, 1.2 Ω, I2PAK
onsemi
3.13W(Ta),147W(Tc) 4V@ 250¦ÌA 36nC@ 10V 1N 600V 1.2¦¸@ 3.75A,10V 1.255pF@25V I2PAK,TO-262
UnikeyIC
Single N-Channel 600 V 7.5 A 3.13 W Through Hole Mosfet - I2PAK
Future Electronics
Trans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
Verical
MOSFETs 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series
Mouser
Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
IHS
Mosfet, N-Ch, 600V, 7.5A, I2Pak; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:600V; Continuous Drain Current Id:7.5A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V Rohs Compliant: Yes |Onsemi FQI8N60CTU
Newark
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.
Fairchild Semiconductor

Bilder

Future Electronics
Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd