STMicroelectronics STFI10N62K3
$ 1.444
Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-06-23
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2018-06-22
LTD Date2018-12-22
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTI10N62K3
N-channel 620 V, 0.68 Ohm typ., 8.4 A SuperMESH3(TM) Power MOSFET in I2PAK package
STMicroelectronicsSTFI10NK60Z
N-channel 600 V, 0.65 Ohm typ., 10 A Zener-protected SuperMESH Power MOSFET in I2PAKFP package
STMicroelectronicsSTB10NK60Z-1
N-channel 600 V, 0.65 Ohm typ., 10 A Zener-protected SuperMESH Power MOSFET in D2PAK package
onsemiFQI10N60CTU
Power Field-Effect Transistor, 9.5A I(D), 600V, 0.73ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
onsemiFQI9N50CTU
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 500V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STFI10N62K3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 620 V, 0.68 Ohm typ., 8.4 A SuperMESH3(TM) Power MOSFET in I2PAKFP package
30W(Tc) 30V 4.5V@ 100¦ÌA 42nC@ 10 V 1N 620V 750m¦¸@ 4A,10V 8.4A 1.25nF@50V I2PAKFP 10.85mm
Trans MOSFET N-CH 620V 8.4A 3-Pin(3+Tab) I2PAKFP Tube
MOSFET N CH 620V 8.4A I2PAKFP
Power Field-Effect Transistor
Ptd High Voltage
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Technical
Continuous Drain Current (ID)8.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage620 V
Drain to Source Resistance680 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)620 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time31 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.25 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation30 W
Min Operating Temperature-55 °C
Power Dissipation30 W
Rds On Max750 mΩ
Rise Time15 ns
Turn-Off Delay Time41 ns
Turn-On Delay Time14.5 ns
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