STMicroelectronics STFI10N62K3
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-06-23
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 weeks ago)
LTB Date2018-06-22
LTD Date2018-12-22
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTI10N62K3
N-channel 620 V, 0.68 Ohm typ., 8.4 A SuperMESH3(TM) Power MOSFET in I2PAK package
STMicroelectronicsSTFI10NK60Z
N-channel 600 V, 0.65 Ohm typ., 10 A Zener-protected SuperMESH Power MOSFET in I2PAKFP package
STMicroelectronicsSTB10NK60Z-1
N-channel 600 V, 0.65 Ohm typ., 10 A Zener-protected SuperMESH Power MOSFET in D2PAK package
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STFI10N62K3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 620 V, 0.68 Ohm typ., 8.4 A SuperMESH3(TM) Power MOSFET in I2PAKFP package
Trans MOSFET N-CH 620V 8.4A 3-Pin(3+Tab) I2PAKFP Tube
Power Field-Effect Transistor, 8.4A I(D), 620V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-281
30W(Tc) 30V 4.5V@ 100µA 42nC@ 10 V 1individualNChannel 620V 750mΩ@ 4A,10V 8.4A 1.25nF@50V I2PAKFP Through hole mounting 10.85mm(height)
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Bestandsverlauf
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CAD-Modelle
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Alternative Teile
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)8.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage620 V
Drain to Source Resistance750 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)620 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time31 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.25 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation30 W
Min Breakdown Voltage620 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation30 W
Rds On Max750 mΩ
Rise Time15 ns
Turn-Off Delay Time41 ns
Turn-On Delay Time14.5 ns
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