Infineon IRLZ34NSPBF

Name: Infineon IRLZ34NSPBF
Brand: Infineon
SKU: IRLZ34NSPBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 55V; Rds(on) 0.035 Ohm; Id 30A; D2PAK; Pd 68W; Vgs +/-16V; -55D

$ 1.25

Obsolete

Herstellerseite Datenblatt

Preis und Lagerbestand

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Distributor	SKU		Min	Pkg
RS (Formerly Allied Electronics)	IRLZ34NSPBF	0	850	Bulk				1,250	1,250	17h
Farnell	IRLZ34NSPBF	0	1		2,421*	2,421*	1,187*	1,162*	1,162*	3h
Win Source	WS-IRLZ34NSPBF	20	65				0,812	0,541	0,541	4h
Worldway Electronics	IRLZ34NSPBF	9.172	7	Tube		0,352	0,346	0,332	0,326	1d
Aztech	IRLZ34NSPBF	469			4,970	4,970	4,970	4,970	4,970	22h

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1 Teil verfügbar

Datenblätter und Dokumente

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IHS

Datasheet11 SeitenVor 21 Jahren

Datasheet12 SeitenVor 21 Jahren

Newark

RS (Formerly Allied Electronics)

DigiKey

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InfineonIRLZ34NSPBF

InfineonIRLZ34NSTRLPBF

Price @ 1000

$ 1.25

$ 0.578

Stock

80,000

980,468

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

D2PAK

Drain to Source Voltage (Vdss)

55 V

Continuous Drain Current (ID)

30 A

Threshold Voltage

2 V

Rds On Max

35 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

16 V

Power Dissipation

3.8 W

Input Capacitance

880 pF

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date1998-01-01

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2016-11-16

LTD Date2017-05-16

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRLZ34NSPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.035Ohm;ID 30A;D2Pak;PD 68W;VGS +/-16V;-55d

RS (Formerly Allied Electronics)

55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS

Infineon SCT

Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Avnet

Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature; Logic Level

Infineon

MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:55V; Continuous Drain Current, Id:30A; On Resistance, Rds(on):35mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:D2-PAK ;RoHS Compliant: Yes

Newark

MOSFET, N, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:30A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):35mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2V; Power Dissipation Pd:3.8W; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:D2-PAK; Avalanche Single Pulse Energy Eas:110mJ; Capacitance Ciss Typ:880pF; Current Id Max:30A; Package / Case:D2-PAK; Power Dissipation Pd:3.8W; Power Dissipation Pd:3.8W; Pulse Current Idm:110A; Reverse Recovery Time trr Typ:76ns; SMD Marking:Z34NS; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:55V; Voltage Vgs Max:2V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:2V; Voltage Vgs th Min:1V

element14 APAC

Bilder

RS (Formerly Allied Electronics)

Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

Infineon Technologies
INF
INFINEO
INFINE
INFIN
INFINION
INFI
INFENION
SIM
INFIEON
INFINEON TECH
INFINEN
IFX
INFIENON
IR/INFINEON
INFINEON/IR
IFT
INFINEON/SIEMENS
LNFINEON
INFN
Infineon Tech ICs
INFINEON TECHNOLOGIE
NFINEON
INFINEON/Infineon
INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

IRFIRLZ34NSPBF

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1 Teil verfügbar

Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageD2PAK

MountSurface Mount

Number of Pins3

Number of Terminals2

Technical

Continuous Drain Current (ID)30 A

Current Rating30 A

Drain to Source Breakdown Voltage55 V

Drain to Source Resistance46 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)55 V

Dual Supply Voltage55 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time29 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)16 V

Input Capacitance880 pF

Max Junction Temperature (Tj)175 °C

Max Operating Temperature175 °C

Max Power Dissipation68 W

Min Breakdown Voltage55 V

Min Operating Temperature-55 °C

Nominal Vgs2 V

Number of Channels1

Number of Elements1

On-State Resistance35 mΩ

Package Quantity1000

PackagingBulk

Power Dissipation3.8 W

Rds On Max35 mΩ

Resistance60 mΩ

Reverse Recovery Time76 ns

Rise Time100 ns

TerminationSMD/SMT

Threshold Voltage2 V

Turn-Off Delay Time21 ns

Turn-On Delay Time8.9 ns

Voltage Rating (DC)55 V

Dimensions

Height5.084 mm

Length10.67 mm

Width9.65 mm

Datenblätter und Dokumente

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