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Verwandte Teile
onsemiHUF75321S3S
N-CHANNEL SINGLE WITH BUILT-IN DIODE TO-263AB SILICON Mosfet Transistor 35A 55V 0.034Ohm
InfineonIRF4905SPBF
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -70V; -44A; 0.02ohm; 170W; -55+150 deg.C; SMD; TO263 (D2PAK)
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi HUFA75321S3ST, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET N-CH 55V 35A D2PAK
35A, 55V, 0.034 OHM, N-CHANNEL ULTRAFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 55V, 0.034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFETs 20a, 55V N-Channel UltraFET
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)35 A
Current Rating35 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance34 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time66 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance680 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation93 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation93 W
Rds On Max34 mΩ
Rise Time55 ns
Turn-Off Delay Time47 ns
Voltage Rating (DC)55 V
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