Infineon IRLR6225TRPBF
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Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Arrow Electronics | IRLR6225TRPBF | 1.864 | 1 | |||||||||
| DigiKey | IRLR6225TRPBFCT-ND | 24 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Avnet | IRLR6225TRPBF | 0 | 2K | 1d | ||||||||
| Farnell | IRLR6225TRPBF | 0 | 1 | Cut Tape | 7h | |||||||
| Microchip USA | IRLR6225TRPBF | 1.431 | 600 | 14h |
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymbolFußabdruck | 3D | Herunterladen |
 EE Concierge | SymbolFußabdruck | ||
 SnapEDA | Fußabdruck | 3D | Herunterladen |
 Ultra Librarian | SymbolFußabdruck | Herunterladen |
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Price @ 1000
$ 0.621
$ 2.55
Stock
926,846
56,492
Authorized Distributors
4
2
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
DPAK
DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
20 V
Continuous Drain Current (ID)
42 A
42 A
Threshold Voltage
-
800 mV
Rds On Max
4 mΩ
4 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
12 V
12 V
Power Dissipation
63 W
63 W
Input Capacitance
3.77 nF
3.77 nF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-11-15
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
InfineonIRLR6225PBF
Inductor RF Chip Wirewound 2.4nH 0.2nH 100MHz 20Q-Factor 850mA 50mOhm DCR 0402 Paper T/R
onsemiNTD110N02R
Tube Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 12.5A Ta 110A Tc 110A 2.88W 21ns
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRLR6225TRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N CH MOSFET, 20V, 100A, 3-DPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain
Single N-Channel 20 V 4 mOhm 48 nC HEXFET® Power Mosfet - SOT-23
20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
HEXFET Power MOSFET Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 20V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
Benefits: RoHS Compliant; Industry-Standard Pinout; Compatible with Existing Surface Mount Techniques; Qualified Industrial; Qualified MSL1; Logic Level
N CH MOSFET, 20V, 100A, 3-DPAK; Transist; N CH MOSFET, 20V, 100A, 3-DPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):3.2mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:800mV; No. of Pins:3
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)42 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Fall Time52 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance3.77 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation63 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs800 mV
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance4 mΩ
Package Quantity2000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation63 W
Rds On Max4 mΩ
Resistance4 MΩ
Rise Time37 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time63 ns
Turn-On Delay Time9.7 ns
Dimensions
Height2.52 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen