Infineon IRLR3717TRPBF
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRLR3717TRPBF | 0 | 6K | Bulk | 14h | |||||||
| Win Source | WS-IRLR3717TRPBF | 255 | 30 | 23h | ||||||||
| Worldway Electronics | IRLR3717TRPBF | 11.756 | 7 | Tape & Reel | 21h | |||||||
| Anlinkda | IRLR3717TRPBF | 64.811 | 3h | |||||||||
| RC Electronics | IRLR3717TRPBF | 58.230 | 1 | >1wk |
Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-06-27
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2019-11-15
LTD Date2020-05-15
Verwandte Teile
InfineonIRFR3711ZTRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 20V;RDS(ON) 4.5Milliohms;ID 93A;D-Pak (TO-252AA);PD 79W
InfineonIRLR6225TRPBF
N CH MOSFET, 20V, 100A, 3-DPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain
onsemiNTD110N02R
Tube Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 12.5A Ta 110A Tc 110A 2.88W 21ns
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRLR3717TRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single N-Channel 20 V 4.2 mOhm 21 nC HEXFET® Power Mosfet - DPAK
Trans MOSFET N-CH 20V 120A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / MOSFET N-CH 20V 120A DPAK
MOSFET, 20V, 120A, 4.2 MOHM, 21 NC QG, LOGIC LEVEL, D-PAK
20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 20V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:20V; Continuous Drain Current Id:120A; On Resistance Rds(On):0.004Ohm; Transistor Mounting:surface Mount; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V Rohs Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)30 A
Current Rating120 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time16 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.83 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation89 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance4.2 mΩ
Package Quantity2000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation89 W
Rds On Max4 mΩ
Resistance4.2 MΩ
Rise Time14 ns
Turn-Off Delay Time5.8 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Dimensions
Height2.26 mm
Length6.7056 mm
Width6.22 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen