Infineon IRLR3636TRPBF
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159,196
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Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
DPAK
DPAK
DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
60 V
60 V
Continuous Drain Current (ID)
50 A
50 A
50 A
Threshold Voltage
2.5 V
-
-
Rds On Max
6.8 mΩ
6.8 mΩ
6.8 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
16 V
16 V
16 V
Power Dissipation
143 W
143 W
143 W
Input Capacitance
3.779 nF
3.779 nF
3.779 nF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-02-06
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
VishaySQD40N06-14L_GE3
Mosfet Transistor, N Channel, 40 A, 60 V, 0.011 Ohm, 10 V, 2 V Rohs Compliant: Yes |Vishay SQD40N06-14L-GE3
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRLR3636TRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single N-Channel 60 V 8.3 mOhm 49 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252-3
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 50 A, 0.0054 ohm, TO-252AA, Surface Mount
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.0083ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
MOSFET, N-CH, 60V, 50A, TO-252AA-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:50A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.0054ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.5V;
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)50 A
Current50 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance8.3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time69 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance3.779 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation143 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance6.8 mΩ
Package Quantity2000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation143 W
Rds On Max6.8 mΩ
Rise Time216 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2.5 V
Turn-Off Delay Time43 ns
Turn-On Delay Time45 ns
Voltage60 V
Dimensions
Height2.52 mm
Length6.7056 mm
Width6.22 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen