Infineon IRFR3607TRPBF

Single N-Channel 75 V 9 mOhm 84 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252-3
$ 0.719
Production
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Preis und Lagerbestand

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DistributorSKUMinPkg
Newark
2
IRFR3607TRPBF11Cut Tape
Arrow Electronics
3
IRFR3607TRPBF7.0001
Future Electronics
3
IRFR3607TRPBF50.0002KTape & Reel
RutronikTMOSP12296152.0002K
4h
Rochester ElectronicsIRFR3607TRPBF25.069
21h

Datenblätter und Dokumente

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Newark

Datasheet10 SeitenVor 16 Jahren
Datasheet11 SeitenVor 16 Jahren

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Alternative Teile

Dieser Teil
Alternative Teile
InfineonIRFR3607TRPBF
InfineonAUIRFR3607
InfineonAUIRFR3607
Price @ 1000
$ 0.719
$ 2.52
$ 2.52
Stock
2,201,518
126,141
126,141
Authorized Distributors
6
3
3
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
DPAK
DPAK
DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
75 V
75 V
75 V
Continuous Drain Current (ID)
56 A
56 A
56 A
Threshold Voltage
2 V
2 V
2 V
Rds On Max
9 mΩ
9 mΩ
9 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
140 W
140 W
140 W
Input Capacitance
3.07 nF
3.07 nF
3.07 nF

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-03-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

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Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRFR3607TRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Single N-Channel 75 V 9 mOhm 84 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252-3
Future Electronics
75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 75V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
ComSIT Distribution GmbH
Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:75V; Continuous Drain Current Id:56A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:2V; Power Dissipation:140W; No. Of Pins:3Pins Rohs Compliant: Yes |Infineon IRFR3607TRPBF.
Newark
MOSFET, N CH, 75V, 56A, D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:56A; Drain Source Voltage Vds:75V; On Resistance Rds(on):7.34mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2V; Power Dissipation Pd:140W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-252; No. of Pins:3; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (18-Jun-2012)
Farnell
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.
Infineon

Bilder

Infineon
Farnell
Newark
RS
Farnell
TME
Conrad
iiiC
Future Electronics
LZChips

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IRFR3607TRPBF.
  • SP001567010