Infineon IRLR3636PBF

Single N-Channel 60 V 6.8 mOhm 33 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252-3
$ 0.52
Obsolete
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

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DistributorSKUMinPkg
Rochester ElectronicsIRLR3636PBF3
7h
RS (Formerly Allied Electronics)IRLR3636PBF0600Bulk
21h
FarnellIRLR3636PBF05
6h
Win SourceWS-IRLR3636PBF16.720100
8h
Worldway ElectronicsIRLR3636PBF14.0807Tube
1d

Datenblätter und Dokumente

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IHS

Datasheet11 SeitenVor 17 Jahren
Datasheet10 SeitenVor 17 Jahren

Farnell

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Alternative Teile

Dieser Teil
Alternative Teile
InfineonIRLR3636PBF
InfineonIRLR3636TRPBF
InfineonIRLR3636TRPBF
Price @ 1000
$ 0.52
$ 0.718
$ 0.718
Stock
510,194
628,804
628,804
Authorized Distributors
3
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
TO-252-3
DPAK
DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
60 V
60 V
Continuous Drain Current (ID)
99 A
50 A
50 A
Threshold Voltage
2.5 V
2.5 V
2.5 V
Rds On Max
6.8 mΩ
6.8 mΩ
6.8 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
16 V
16 V
16 V
Power Dissipation
143 W
143 W
143 W
Input Capacitance
3.779 nF
3.779 nF
3.779 nF

Lieferkette

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

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Details
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Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRLR3636PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Single N-Channel 60 V 6.8 mOhm 33 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252-3
Future Electronics
MOSFET, 60V, 99A, 6.8 MOHM, 33 NC QG, LOGIC LEVEL, D-PAK
RS (Formerly Allied Electronics)
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 99A I(D), 60V, 0.0083ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
IHS
MOSFET, N-CH 60V 50A DPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:50A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):6.8mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.5V; Power Dissipation Pd:143W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:D-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:99A; Package / Case:D-PAK; Power Dissipation Pd:143W; Power Dissipation Pd:143W; Termination Type:SMD; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:60V; Voltage Vgs Max:2.5V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:2.5V
element14 APAC
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Infineon

Bilder

Infineon
Distrelec
element14
TME
Conrad
Distrelec
RS (Formerly Allied Electronics)
Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IRFIRLR3636PBF
  • IRLR 3636PBF
  • IRLR3636PBF .
  • SP001553190