Infineon IRLR2905ZTRPBF
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3
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
DPAK
DPAK
DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
55 V
55 V
Continuous Drain Current (ID)
42 A
42 A
42 A
Threshold Voltage
-
-
-
Rds On Max
13.5 mΩ
13.5 mΩ
13.5 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
16 V
16 V
16 V
Power Dissipation
110 W
110 W
110 W
Input Capacitance
1.57 nF
1.57 nF
1.57 nF
Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-03-02
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
InfineonIRLR3915TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 12 Milliohms;ID 61A;D-Pak (TO-252AA);PD 120W
onsemiNTDV5805NT4G
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel MOSFET (Metal Oxide) Mosfet Transistor 51A Tc 51A 47W 40V
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRLR2905ZTRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
In a Tube of 75, N-Channel MOSFET, 60 A, 55 V, 3-Pin DPAK Infineon IRLR2905ZPBF
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Single N-Channel 55 V 22.5 mOhm 35 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA
55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 55V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Fast Switching; 175C Operating Temperature; Logic Level | Target Applications: AC-DC
N CHANNEL MOSFET, 55V, 42A, D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current, Id:42mA; Drain Source Voltage, Vds:55V; On Resistance, Rds(on):0.135ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Threshold Voltage, Vgs Typ:1V ;RoHS Compliant: Yes
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 42 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 55 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 13.5 / Gate-Source Voltage V = 16 / Fall Time ns = 33 / Rise Time ns = 130 / Turn-OFF Delay Time ns = 24 / Turn-ON Delay Time ns = 14 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-252 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 110
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)42 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance13.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time33 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance1.57 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation110 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance13.5 mΩ
Package Quantity2000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation110 W
Rds On Max13.5 mΩ
Rise Time130 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time24 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Dimensions
Height2.39 mm
Length6.7056 mm
Width6.22 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen