Infineon IRLML6402TRPBF
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1999-09-23
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 7 months ago)
LTB Date2026-06-30
LTD Date2027-12-31
Verwandte Teile
InfineonIRLML2502TRPBF
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 4.3A; 0.05ohm; 1.3W; -55+150 deg.C; SMD; SOT23
Diodes Inc.DMG2305UXQ-7
P-Ch MOSFET 20V 4.2A 52mΩ@4.2A,4.5V 808pF@15V SOT-23-3 SMD 2.9mm × 1.3mm × 1.03mm
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRLML6402TRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -20V;RDS(ON) 0.065Ohm;ID -3.7A;Micro3;PD 1.3W;VGS +/-12V
1.3W(Ta) 12V 1.2V@ 250µA 12nC@ 5 V 1individualPChannel 20V 65mΩ@ 3.7A,4.5V 3.7A 633pF@10V 3000，MICRO-3，SOT-23 SMD mount 1.12mm(height)
-20V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 3 package, SOT23-3, RoHS
Infineon SCT
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 3.7 A, 0.065 ohm, SOT-23, Surface Mount
HEXFET Power MOSFET Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 20V, 0.065ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P Channel; Drain Source Voltage, Vds:-20V; Continuous Drain Current, Id:-3.7A; On Resistance, Rds(on):65mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:-4.5V; Package/Case:Micro3 ;RoHS Compliant: Yes
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-23
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.7 A
Current Rating-3.7 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance65 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-20 V
Dual Supply Voltage-20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time381 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance633 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.3 W
Manufacturer Package IdentifierMicro3
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-550 mV
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance65 mΩ
Package Quantity3000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation1.3 W
Rds On Max65 mΩ
Resistance65 mΩ
Rise Time48 ns
Schedule B8541290080
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage-550 mV
Turn-Off Delay Time588 ns
Turn-On Delay Time350 ns
Voltage Rating (DC)-20 V
Dimensions
Height1.12 mm
Length3.0226 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen