Diodes Inc. DMP2066LSN-7
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-08-07
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 9 months ago)
Verwandte Teile
InfineonIRLML2502TRPBF
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 4.3A; 0.05ohm; 1.3W; -55+150 deg.C; SMD; SOT23
InfineonIRLML2502GTRPBF
N CH POWER MOSFET, HEXFET, 20V, 4.2A, MICRO3; Transistor Polarity:N Channel; Con
InfineonIRLML6402TRPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -20V;RDS(ON) 0.065Ohm;ID -3.7A;Micro3;PD 1.3W;VGS +/-12V
Diodes Inc.DMG2305UXQ-7
P-Ch MOSFET 20V 4.2A 52mΩ@4.2A,4.5V 808pF@15V SOT-23-3 SMD 2.9mm × 1.3mm × 1.03mm
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. DMP2066LSN-7, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
P-Channel 20 V 40 mOhm Enhancement Mode Mosfet - SC-59
Trans MOSFET P-CH 20V 4.6A Automotive 3-Pin SC-59 T/R
DiodesZetex P-Ch MOSFET, Vds=20V, 3.7A, SOT-346, SMD, 3-Pin
Power Field-Effect Transistor, 4.6A I(D), 20V, 0.04ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-236-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight7.994566 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.6 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance40 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time9.9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance820 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.25 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation1.25 W
Rds On Max40 mΩ
Rise Time9.9 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time28 ns
Turn-On Delay Time4.4 ns
Dimensions
Height1.3 mm
Length3.1 mm
Width1.7 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen