Infineon IRGS10B60KDPBF
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Obsolete
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Stock
108,048
176,659
176,659
Authorized Distributors
3
6
6
Mount
Surface Mount
-
-
Case/Package
D2PAK
TO-263-3
TO-263-3
Collector Emitter Breakdown Voltage
600 V
600 V
600 V
Max Collector Current
22 A
20 A
20 A
Power Dissipation
104 W
110 W
110 W
Collector Emitter Saturation Voltage
1.8 V
2.05 V
2.05 V
Reverse Recovery Time
90 ns
115 ns
115 ns
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-11-24
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
onsemiFGB20N6S2D
Insulated Gate Bipolar Transistor, 28A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB
onsemiSGW23N60UFDTM
Insulated Gate Bipolar Transistor, 23A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB
STMicroelectronicsSTGB10M65DF2
IGBT 650V 10A D2PAK / IGBT Trench Field Stop 650 V 20 A 115 W Surface Mount D²PAK (TO-263)
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRGS10B60KDPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans IGBT Chip N-CH 600V 22A 3-Pin (2+Tab) D2PAK
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE | IGBT 600V 22A 156W D2PAK
Copacked 600V IGBT in a D2-Pak package with ultrafast 10-30 kHz soft recovery diode, D2PAKCOPAK, RoHS
Infineon SCT
IGBT, D2-PAK; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N; Voltage, Vces:600V; Current Ic Continuous a Max:22A; Voltage, Vce Sat Max:2.5V; Power Dissipation:156W; Case Style:D2-PAK; Termination Type:SMD; Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:600V; Current, Icm Pulsed:44A; Power, Pd:156W; Time, Rise:29ns
SINGLE IGBT, 600V, 22A; Transistor Type:; SINGLE IGBT, 600V, 22A; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:22A; Collector Emitter Voltage Vces:2.5V; Power Dissipation Pd:156W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.8 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Current Rating22 A
Element ConfigurationSingle
Fall Time34 ns
Max Collector Current22 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation156 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Package Quantity50
PackagingBulk
Power Dissipation104 W
Reverse Recovery Time90 ns
Rise Time28 ns
Voltage Rating (DC)600 V
Dimensions
Height4.699 mm
Length10.668 mm
Width9.652 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen