Preis und Lagerbestand
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Datenblätter und Dokumente
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Verwandte Teile
InfineonIRG4BC30FD-SPBF
Copacked 600V IGBT in a D2-Pak package with a hyperfast 1-8 kHz diode, D2PAKCOPAK, RoHS
onsemiSGW23N60UFDTM
Insulated Gate Bipolar Transistor, 23A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB
onsemiFGB20N6S2D
Insulated Gate Bipolar Transistor, 28A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRG4BC30KDSTRLP, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans IGBT Chip N-CH 600V 28A 100000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
IRG4BC30KD Series Ultrafast Soft Recovery Diode Surface Mount IGBT - TO-252-3
600V, 28A, IGBT WITH ULTRAFAST S
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Weight260.39037 mg
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)2.7 V
Element ConfigurationSingle
Max Breakdown Voltage600 V
Max Collector Current28 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation100 W
Min Operating Temperature-55 °C
Reverse Recovery Time42 ns
Schedule B8541290080
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Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen