Infineon IRFZ44ZPBF

Name: Infineon IRFZ44ZPBF
Brand: Infineon
SKU: IRFZ44ZPBF

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 55V; RDS(ON) 11.1 Milliohms; ID 51A; TO-220AB; PD 80W; -55deg

$ 0.458

Obsolete

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Arrow Electronics		IRFZ44ZPBF	37	1		0,391	0,391	0,391	0,391	0,391
Rochester Electronics		IRFZ44ZPBF	700					0,552	0,458	0,408	12h
RS (Formerly Allied Electronics)		IRFZ44ZPBF	0	5	Bulk		1,260	1,120	1,120	1,120	4h
Farnell		IRFZ44ZPBF	0	1		1,223*	1,200*	1,134*	1,134*	1,134*	1d
Microchip USA	2	IRFZ44ZPBF	299	3500	Tube					0,361	4h

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Farnell

Datasheet13 SeitenVor 15 Jahren

IHS

Newark

Factory Futures

RS (Formerly Allied Electronics)

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InfineonIRFZ44ZPBF

InfineonAUIRFZ44Z

Price @ 1000

$ 0.458

$ 0.18

Stock

403,124

67,829

Authorized Distributors

Mount

Through Hole

Case/Package

TO-220AB

TO-220-3

Drain to Source Voltage (Vdss)

55 V

Continuous Drain Current (ID)

51 A

Threshold Voltage

4 V

2 V

Rds On Max

13.9 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

80 W

Input Capacitance

1.42 nF

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2003-10-08

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2012-07-27

LTD Date2013-01-27

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRFZ44ZPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 11.1 Milliohms;ID 51A;TO-220AB;PD 80W;-55deg

RS (Formerly Allied Electronics)

Single N-Channel 55 V 13.9 mOhm 29 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3

Future Electronics

55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS

Infineon SCT

MOSFET Operating temperature: -55...175 °C Housing type: TO-220AB Polarity: N Power dissipation: 80 W

Distrelec

Trans MOSFET N-CH 55V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

Avnet

MOSFET, N, 55V, 51A, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:51A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):13.9mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:80W; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:51A; Junction to Case Thermal Resistance A:1.87°C/W; On State resistance @ Vgs = 10V:13.9ohm; Package / Case:TO-220AB; Power Dissipation Pd:80W; Power Dissipation Pd:80W; Pulse Current Idm:200A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:55V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

element14 APAC

The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

Infineon

Bilder

Infineon

Newark

TME

RS (Formerly Allied Electronics)

Distrelec

LZChips

International Rectifier

Newark

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

Infineon Technologies
INF
INFINEO
INFINE
INFIN
INFINION
INFI
INFENION
SIM
INFIEON
INFINEON TECH
INFINEN
IFX
INFIENON
IR/INFINEON
INFINEON/IR
IFT
INFINEON/SIEMENS
LNFINEON
INFN
Infineon Tech ICs
INFINEON TECHNOLOGIE
NFINEON
INFINEON/Infineon
INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

IRFZ44Z
SP001578606

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageTO-220AB

MountThrough Hole

Number of Pins3

Number of Terminals3

Technical

Continuous Drain Current (ID)51 A

Current Rating51 A

Drain to Source Breakdown Voltage55 V

Drain to Source Resistance13.9 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)55 V

Dual Supply Voltage55 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time41 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance1.42 nF

Max Junction Temperature (Tj)175 °C

Max Operating Temperature175 °C

Max Power Dissipation80 W

Min Breakdown Voltage55 V

Min Operating Temperature-55 °C

Nominal Vgs4 V

Number of Channels1

Number of Elements1

On-State Resistance13.9 mΩ

Package Quantity1000

PackagingBulk

Power Dissipation80 W

Rds On Max13.9 mΩ

Recovery Time35 ns

Resistance13.9 Ω

Rise Time68 ns

Schedule B8541290080

Threshold Voltage4 V

Turn-Off Delay Time33 ns

Turn-On Delay Time14 ns

Voltage Rating (DC)55 V

Dimensions

Height19.15 mm

Length10.668 mm

Width4.826 mm