onsemi RFP50N06

Transistor RFP50N06 N-Channel MOSFET 60 Volt 50 Amp TO-220AB
$ 1.05
Production
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DistributorSKUMinPkg
Avnet
2
58K95187721
2d
Future ElectronicsRFP50N065015Tube
NewarkRFP50N067721
Verical
4
RFP50N063296
Arrow Electronics
2
RFP50N065841

Datenblätter und Dokumente

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IHS

Datasheet8 SeitenVor 24 Jahren
Datasheet9 SeitenVor 3 Jahren

onsemi

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Alternative Teile

Dieser Teil
Alternative Teile
onsemiRFP50N06
IntersilRFP50N06
Price @ 1000
$ 1.05
$ 1.05
Stock
250,114
31,245
Authorized Distributors
6
1
Mount
Through Hole
-
Case/Package
TO-220AB
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
-
Continuous Drain Current (ID)
50 A
50 A
Threshold Voltage
4 V
-
Rds On Max
22 mΩ
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
-
Power Dissipation
131 W
131 W
Input Capacitance
2.02 nF
-

Lieferkette

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

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Details

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi RFP50N06, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Transistor RFP50N06 N-Channel MOSFET 60 Volt 50 Amp TO-220AB
Jameco
N-Channel 60 V 0.022 Ohm Flange Mount Power Mosfet - TO-220AB
Future Electronics
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Verical
N-Channel Power MOSFET 60V, 50A, 22mΩ
onsemi
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Semicontronic
MOSFET, N, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:50A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):22mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:131W; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:50A; Current Temperature:25°C; Device Marking:RFP50N06; Full Power Rating Temperature:25°C; No. of Transistors:1; On State Resistance Max:22mohm; Package / Case:TO-220AB; Power Dissipation Pd:131W; Power Dissipation Pd:131W; Pulse Current Idm:120A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:60V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:4V
element14 APAC
These N-Channel power MOSFETs are manufactured using the MegaFET process. This process, which uses feature sizes approaching those of LSI integrated circuits gives optimum utilization of silicon, resulting in outstanding performance. They were designed for use in applications such as switching regulators, switching converters, motor drivers, and relay drivers. These transistors can be operated directly from integrated circuits. Formerly developmental type TA49018.
Fairchild Semiconductor

Bilder

DKO Electronshik
element14 APAC
RS
B+D Enterprises
TME
iiiC
Micros
Conrad
Future Electronics
Rochester Electronics
Jameco

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • RFP50N06.