Infineon IRFS52N15DTRLP
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | IRFS52N15DTRLP | 34 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | IRFS52N15DTRLP | 21 | 1 | |||||||||
| Future Electronics | IRFS52N15DTRLP | 8.000 | 800 | Tape & Reel | ||||||||
| DigiKey | IRFS52N15DTRLPCT-ND | 766 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Avnet | IRFS52N15DTRLP | 0 | 800 | 4h |
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Price @ 1000
$ 1.036
$ 2.18
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Stock
285,940
182,222
182,222
Authorized Distributors
6
2
2
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
150 V
150 V
150 V
Continuous Drain Current (ID)
51 A
43 A
43 A
Threshold Voltage
-
-
-
Rds On Max
32 mΩ
32 mΩ
32 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
30 V
30 V
30 V
Power Dissipation
3.8 W
3.8 W
3.8 W
Input Capacitance
2.77 nF
2.77 nF
2.77 nF
Lieferkette
Country of OriginMainland China, Mexico, Usa
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-09-22
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
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InfineonIRFS23N15DTRLP
N CH SMPS MOSFET, HEXFET, 150V, 23A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Conti
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRFS52N15DTRLP, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single N-Channel 150V 32 mOhm 89 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin (2+Tab) D2PAK T/R
IRFS52N15DTRLP,MOSFET, 150V, 6 0A, 32 MOHM, 60 NC QG, D2-PAK
HEXFET Power MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Continuous Drain Current, Id:60A; Drain Source Voltage, Vds:150V; On Resistance, Rds(on):32mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:30V; Power Dissipation, Pd:320W
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Fully Characterized Avalanche Voltage and Current; Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses; Fully Characterized Capacitance Including Effective Coss to Simplify Design
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)51 A
Drain to Source Breakdown Voltage150 V
Drain to Source Resistance32 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Dual Supply Voltage150 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time25 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance2.77 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation3.8 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs5 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance32 mΩ
Package Quantity800
Power Dissipation3.8 W
Rds On Max32 mΩ
Rise Time47 ns
Schedule B8541290080
TerminationSMD/SMT
Turn-Off Delay Time28 ns
Turn-On Delay Time16 ns
Dimensions
Height5.084 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen