onsemi FDB2552-F085
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Lieferkette
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2002-10-10
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 days ago)
LTB Date2022-01-07
LTD Date2022-07-07
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 4 days ago)
Verwandte Teile
onsemiHUFA75842S3S
230W(Tc) 4V@ 250µA 175nC@ 20V 1individualNChannel 150V 42mΩ@ 43A,10V 2.73pF@25V D2PAK SMD mount
InfineonAUIRF6218S
Automotive Q101 -150V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak Package, D2PAK-3, RoHS
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FDB2552-F085, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
N-Channel PowerTrench® MOSFET 150V, 37A, 36mΩ
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 150V, 0.036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
150W(Tc) 20V 4V@ 250µA 51nC@ 10 V 1individualNChannel 150V 36mΩ@ 16A,10V 5A，37A 2.8nF@25V TO-263AB SMD mount 10.67mm*9.65mm*4.83mm
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.31247 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)5 A
Drain to Source Breakdown Voltage150 V
Drain to Source Resistance36 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time29 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.8 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation150 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
Power Dissipation150 W
Rds On Max36 mΩ
Rise Time29 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time36 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen