Infineon IRFS41N15DTRLP
Obsolete
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0 Modelle verfügbar
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Price @ 1000
$ 0.946
Stock
208,424
677,024
Authorized Distributors
0
2
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
150 V
150 V
Continuous Drain Current (ID)
41 A
41 A
Threshold Voltage
-
5.5 V
Rds On Max
45 mΩ
45 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
30 V
30 V
Power Dissipation
3.1 W
200 W
Input Capacitance
2.52 nF
2.52 nF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-11-29
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 7 months ago)
LTB Date2020-10-31
LTD Date2021-04-30
Verwandte Teile
InfineonIRFS52N15DTRLP
Infineon N-Channel MOSFET HEXFET Series, Vds=150V, 51A, D2PAK (TO-263), SMD, 3-Pin
onsemiHUFA75842S3S
230W(Tc) 4V@ 250µA 175nC@ 20V 1individualNChannel 150V 42mΩ@ 43A,10V 2.73pF@25V D2PAK SMD mount
InfineonIRFS33N15DTRLP
Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.056ohm, Id=33A) | MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRFS41N15DTRLP, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single N-Channel 150 V 0.045 Ohm 110 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 150V 41A 3-Pin (2+Tab) D2PAK T/R
MOSFET Operating temperature: -55...175 °C Housing type: TO-263 Polarity: N Variants: Enhancement mode Power dissipation: 200 W
Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:150V; Continuous Drain Current Id:41A; On Resistance Rds(On):0.045Ohm; Transistor Mounting:surface Mount; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:5.5V Rohs Compliant: Yes
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Fully Characterized Avalanche Voltage and Current; Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses; Fully Characterized Capacitance Including Effective Coss to Simplify Design
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Bestandsverlauf
Trend in der Bestandsentwicklung nicht verfügbar
CAD-Modelle
0 Modelle verfügbar
Alternative Teile
1 Teil verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)41 A
Drain to Source Breakdown Voltage150 V
Drain to Source Resistance45 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time14 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance2.52 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation3.1 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance45 mΩ
Package Quantity800
Power Dissipation3.1 W
Rds On Max45 mΩ
Resistance45 MΩ
Rise Time63 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time25 ns
Turn-On Delay Time16 ns
Dimensions
Height5.084 mm
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