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Infineon IRFS3206TRRPBF

MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK N-Channel 60 V 120A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D2PAK
$ 1.394
NRND
Datenblatt
Herstellerseite

Preis und Lagerbestand

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Vertriebspartner
SKU
Min.
Verpackung
Staffelpreise
Newark
3
IRFS3206TRRPBF
932
1
Cut Tape
USD
3,890
3,890
1,960
1,840
1,760
Future Electronics
2
IRFS3206TRRPBF
10.400
800
Tape & Reel
USD
1,150
1,120
Rochester Electronics
IRFS3206TRRPBF
703
USD
1,590
1,320
1,180
21h
Arrow Electronics
3
IRFS3206TRRPBF
821
2
USD
2,308
1,432
1,283
1,283
DigiKey
3
IRFS3206TRRPBFCT-ND
2.374
1
Cut Tape
USD
4,070
2,658
1,751
1,437
1,290

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IRFS3206TRRPBF herunter.

element14 APAC

Datasheet12 SeitenVor 12 Jahren

IHS

Newark

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Alternative Teile

Dieser Teil
Alternative Teile
InfineonIRFS3206TRRPBF
InfineonIRFS3206PBF
InfineonIRFS3206PBF
Price @ 1000
$ 1.394
$ 3.98
$ 3.98
Stock
488,682
1,070,651
1,070,651
Authorized Distributors
6
1
1
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
60 V
60 V
Continuous Drain Current (ID)
120 A
120 A
120 A
Threshold Voltage
-
4 V
4 V
Rds On Max
3 mΩ
3 mΩ
3 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
300 W
300 W
300 W
Input Capacitance
6.54 nF
6.54 nF
6.54 nF

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-04-27
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 5 days ago)

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Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRFS3206TRRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK N-Channel 60 V 120A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D2PAK
Eurochip Technologies LTD
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK / Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Win Source
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Single N-Channel 60V 3 mOhm 120 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
Future Electronics
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 120 A, 0.0024 ohm, TO-263AB, Surface Mount
EBV Elektronik
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Semicontronic
Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:60V; Continuous Drain Current Id:120A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(on) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; Power Dissipation:300W; No. of Pins:3Pins RoHS Compliant: Yes
Newark
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 210 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 60 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 2.4 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 83 / Rise Time ns = 82 / Turn-OFF Delay Time ns = 55 / Turn-ON Delay Time ns = 19 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = D2PAK / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 300
Distrelec

Bilder

Infineon
Farnell
TME
RS (Formerly Allied Electronics)
Newark
Future Electronics
LZChips

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IRFS3206TRRPBF.
  • SP001573508