Infineon AUIRF1405ZS
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Alternative Teile
Dieser Teil
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Price @ 1000
$ 1.64
$ 1.64
Stock
71,519
148,704
148,704
Authorized Distributors
2
3
3
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
55 V
55 V
Continuous Drain Current (ID)
150 A
150 A
150 A
Threshold Voltage
2 V
-
-
Rds On Max
4.9 mΩ
4.9 mΩ
4.9 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
230 W
230 W
230 W
Input Capacitance
4.78 nF
4.78 nF
4.78 nF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-04-06
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
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STB200NF04T4 N-channel MOSFET Transistor, 120 A, 40 V, 3-Pin D2PAK
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon AUIRF1405ZS, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Automotive Q101 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak Package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 55V 150A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 150A I(D), 55V, 0.0049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET,N CH,SCH DIODE,55V,150A,D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):3700µohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:230W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:150A; Power Dissipation Pd:230W; Voltage Vgs Max:20V
Benefits: Advanced process technology; Ultra-low on-resistance; 175C operating temperature; Fast switching; Repetitive avalanche allowed up to Tjmax; Lead free, RoHS compliant; Automotive qualified | Target Applications: Braking
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins2
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)150 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance4.9 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time82 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.78 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation230 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance4.9 mΩ
Package Quantity1000
Power Dissipation230 W
Rds On Max4.9 mΩ
Rise Time110 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time48 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Dimensions
Height5.084 mm
Length10.668 mm
Width9.65 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen